型號(hào)：GA0805A561KXCBR31G
　　類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　封裝形式：TO-263 (DPAK)
　　最大漏源電壓(Vds)：40V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：50A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：4mΩ
　　總功耗(Ptot)：70W
　　工作溫度范圍(Ta)：-55°C to +175°C

GA0805A561KXCBR31G 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠有效降低功率損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)能力，支持高頻工作場(chǎng)景，減少磁性元件體積并優(yōu)化設(shè)計(jì)。
　　3. 出色的熱穩(wěn)定性，確保在高電流和高溫環(huán)境下長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。
　　4. 提供強(qiáng)大的過(guò)流保護(hù)和短路耐受能力，增強(qiáng)系統(tǒng)的安全性和魯棒性。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的生產(chǎn)需求。
　　6. 封裝形式緊湊，易于集成到各種印刷電路板設(shè)計(jì)中。

這款功率MOSFET廣泛適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)，如適配器、充電器和工業(yè)電源。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，包括降壓、升壓及反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
　　3. 電動(dòng)工具中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
　　4. 汽車電子系統(tǒng)，例如電池管理系統(tǒng)(BMS)和車載充電器。
　　5. 大功率負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。

IRFZ44N
　　FDP5802
　　STP50NF06L