GA0805A5R6DBCBR31G 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率晶體管,專為高頻和高效率應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適合于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。其出色的性能使其成為傳統(tǒng)硅基MOSFET的優(yōu)秀替代方案�
該型�(hào)具體屬于增強(qiáng)� n 溝道 GaN HEMT(高電子遷移率晶體管�,能�?qū)崿F(xiàn)更低的功耗和更高的系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�5A
�(dǎo)通電阻:5.6mΩ
柵極電荷�65nC
開關(guān)頻率:超�2MHz
工作溫度范圍�-40� � +125�
GA0805A5R6DBCBR31G 的主要特性包括:
1. 高效的氮化鎵技�(shù),具備極低的�(dǎo)通電�,從而降低傳�(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操作,有助于減小磁性元件尺寸并提升功率密度�
3. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性�
4. 緊湊型封�,適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)景�
5. 與傳�(tǒng)的硅� MOSFET 相比,顯著降低了開關(guān)損耗和電磁干擾 (EMI) 水平�
6. 工作溫度范圍廣,能夠在惡劣環(huán)境下保持�(wěn)定性能�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),例如適配器和充電器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于服�(wù)�、通信�(shè)備和工業(yè)控制�
3. 無線充電解決方案�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器電��
5. 光伏微型逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
6. LED �(qū)�(dòng)器和高效照明�(chǎn)��
這些�(yīng)用都得益于其高效的能量轉(zhuǎn)換能力和緊湊的設(shè)�(jì)特點(diǎn)�
GAN007-650WSA
GAN2004-065WSB
STGAP100