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GA0805A5R6DBCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 19:33:35 查看 閱讀�14

GA0805A5R6DBCBR31G 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率晶體管,專為高頻和高效率應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適合于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。其出色的性能使其成為傳統(tǒng)硅基MOSFET的優(yōu)秀替代方案�
  該型�(hào)具體屬于增強(qiáng)� n 溝道 GaN HEMT(高電子遷移率晶體管�,能�?qū)崿F(xiàn)更低的功耗和更高的系�(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�5A
  �(dǎo)通電阻:5.6mΩ
  柵極電荷�65nC
  開關(guān)頻率:超�2MHz
  工作溫度范圍�-40� � +125�

特�

GA0805A5R6DBCBR31G 的主要特性包括:
  1. 高效的氮化鎵技�(shù),具備極低的�(dǎo)通電�,從而降低傳�(dǎo)損��
  2. 快速開�(guān)速度,支持高頻操作,有助于減小磁性元件尺寸并提升功率密度�
  3. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性�
  4. 緊湊型封�,適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)景�
  5. 與傳�(tǒng)的硅� MOSFET 相比,顯著降低了開關(guān)損耗和電磁干擾 (EMI) 水平�
  6. 工作溫度范圍廣,能夠在惡劣環(huán)境下保持�(wěn)定性能�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),例如適配器和充電器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于服�(wù)�、通信�(shè)備和工業(yè)控制�
  3. 無線充電解決方案�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器電��
  5. 光伏微型逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
  6. LED �(qū)�(dòng)器和高效照明�(chǎn)��
  這些�(yīng)用都得益于其高效的能量轉(zhuǎn)換能力和緊湊的設(shè)�(jì)特點(diǎn)�

替代型號(hào)

GAN007-650WSA
  GAN2004-065WSB
  STGAP100

ga0805a5r6dbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容5.6 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-