GA0805A680FBABR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、快速充電器以及高頻逆變器等�(lǐng)�。該芯片采用先進的封裝技�(shù),具備出色的熱性能和電氣性能。由于其低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并減少能量損耗�
該型號集成了�(qū)動電路與保護功能,簡化了系統(tǒng)�(shè)�,并提供了更高的可靠性和�(wěn)定�。相比傳�(tǒng)的硅基MOSFET,氮化鎵器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出,適用于需要緊湊設(shè)計和高性能的場��
額定電壓�650V
額定電流�80A
�(dǎo)通電阻:25mΩ
柵極電荷�90nC
反向恢復(fù)時間�40ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0805A680FBABR31G 的主要特性包括:
1. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低傳�(dǎo)損耗�
2. 高開�(guān)頻率支持,可實現(xiàn)更小的磁性元件和濾波電容�(shè)��
3. �(nèi)置過流保護和過溫保護功能,提升系�(tǒng)可靠性�
4. 封裝形式為增強散熱能力的表面貼裝類型,易于集成到�(xiàn)代PCB�(shè)計中�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
6. 支持硬開�(guān)和軟開關(guān)拓撲,靈活性強�
這款芯片適用于多種高功率密度的應(yīng)用場�,例如:
1. USB PD快充適配�
2. 開關(guān)電源(SMPS�
3. �(shù)�(jù)中心電源模塊
4. 太陽能微型逆變�
5. 無線充電�(shè)�
6. 電機�(qū)動控制器
7. 工業(yè)級高頻DC-DC�(zhuǎn)換器
GAN080-650B, KFG080R25D6