GA0805A680FBABR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效率功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、快速充電器以及高頻逆變器等領(lǐng)域。該芯片采用先進的封裝技術(shù),具備出色的熱性能和電氣性能。由于其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并減少能量損耗。
該型號集成了驅(qū)動電路與保護功能,簡化了系統(tǒng)設(shè)計,并提供了更高的可靠性和穩(wěn)定性。相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,氮化鎵器件在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出,適用于需要緊湊設(shè)計和高性能的場景。
額定電壓:650V
額定電流:80A
導(dǎo)通電阻:25mΩ
柵極電荷:90nC
反向恢復(fù)時間:40ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
GA0805A680FBABR31G 的主要特性包括:
1. 超低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有效降低傳導(dǎo)損耗。
2. 高開關(guān)頻率支持,可實現(xiàn)更小的磁性元件和濾波電容設(shè)計。
3. 內(nèi)置過流保護和過溫保護功能,提升系統(tǒng)可靠性。
4. 封裝形式為增強散熱能力的表面貼裝類型,易于集成到現(xiàn)代PCB設(shè)計中。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
6. 支持硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲,靈活性強。
這款芯片適用于多種高功率密度的應(yīng)用場景,例如:
1. USB PD快充適配器
2. 開關(guān)電源(SMPS)
3. 數(shù)據(jù)中心電源模塊
4. 太陽能微型逆變器
5. 無線充電設(shè)備
6. 電機驅(qū)動控制器
7. 工業(yè)級高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器
GAN080-650B, KFG080R25D6