GA0805A680FBCBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高�、高效能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,具備卓越的開關(guān)性能和熱管理能力,適用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等場景�
其內(nèi)部結(jié)�(gòu)�(jīng)過優(yōu)�,能夠有效降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率。此�,該器件還支持高頻率操作,減少了磁性元件的體積,�(jìn)一步提升了功率密度�
型號:GA0805A680FBCBR31G
類型:增�(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
材料:氮化鎵(GaN�
額定電壓�650V
額定電流�20A
�(dǎo)通電阻:40mΩ(典型值,@25°C�
柵極電荷�9nC(典型值)
反向恢復(fù)電荷:無(零反向恢復(fù)�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA0805A680FBCBR31G 的主要特點是其采用了氮化鎵半�(dǎo)體材�,具有以下優(yōu)勢:
1. 極低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損�,顯著提升效��
2. 零反向恢�(fù)電荷特�,適合高頻應(yīng)用�
3. 良好的熱�(wěn)定性和高溫工作能力,確保在惡劣�(huán)境下的可靠��
4. 小巧的封裝尺寸結(jié)合高效的散熱�(shè)�,使功率密度最大化�
5. �(nèi)置保�(hù)功能,包括過溫保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了系�(tǒng)的安全性�
此外,該器件具有快速開�(guān)速度,能夠在MHz級別的頻率下�(yùn)�,非常適合現(xiàn)代高效能電力電子�(shè)備的需求�
GA0805A680FBCBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于提高效率和減小體��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:在汽車電子、工�(yè)自動化等�(lǐng)�?qū)崿F(xiàn)高效能量�(zhuǎn)��
3. 電機(jī)�(qū)動:為電動工具、家電和其他�(shè)備提供精確控��
4. 充電器和適配器:支持快充�(xié)議,提供更高的充電效��
5. 可再生能源系�(tǒng):如太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
6. �(shù)�(jù)中心電源:用于服�(wù)器和�(wǎng)�(luò)�(shè)備的高效供電方案�
GAN065-020E6S
GAN065R180B6S
STGG065N060MDH