GA0805A680JBCBR31G 是一種用于射� (RF) 和微波應(yīng)用的 GaAs(砷化鎵)PIN 二極管芯片。該器件以其高頻率性能、低插入損耗和高線(xiàn)性度而聞名,廣泛�(yīng)用于通信系統(tǒng)中的�(kāi)�(guān)、衰減器和移相器等電��
這種型號(hào)� PIN 二極管具有出色的反向恢復(fù)�(shí)間和正向電流承載能力,使其在高頻段表�(xiàn)出色,同�(shí)具備良好的耐熱性和�(wěn)定性�
�(lèi)型:PIN 二極�
材料:GaAs(砷化鎵�
工作頻率范圍:DC � 40 GHz
正向電壓 (VF):約 2.5 V
最大正向電� (IF)�100 mA
反向擊穿電壓 (VR)�-50 V
插入損耗:小于 0.2 dB(典型值)
隔離度:大于 40 dB(典型值)
封裝形式:裸芯片
GA0805A680JBCBR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 高頻率響�(yīng):能夠在高達(dá) 40 GHz 的頻率范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)行,適用于各種射頻和微波�(yīng)��
2. 低插入損耗:其設(shè)�(jì)確保了信�(hào)傳輸�(guò)程中損耗最小化,從而提高了系統(tǒng)的整體效率�
3. 良好的線(xiàn)性度:即使在大功率輸入條件下,也能保持較低的失真水平�
4. 快速切換能力:由于采用了先�(jìn)� GaAs 工藝技�(shù),該二極管具備非常短的反向恢�(fù)�(shí)�,適合高速開(kāi)�(guān)�(yīng)��
5. �(wěn)定性:�(wú)論溫度如何變化,都能保持一致的電氣性能,保證了�(zhǎng)期使用的可靠性�
6. 小型化設(shè)�(jì):作為裸芯片,能夠節(jié)省空間并�(jiǎn)化裝配過(guò)程�
該型�(hào)的二極管廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 射頻和微波開(kāi)�(guān):在�(wú)�(xiàn)通信�(shè)備中用作信號(hào)路徑控制元件�
2. 衰減器:通過(guò)�(diào)整正向偏置電流來(lái)�(shí)�(xiàn)�(duì)信號(hào)�(qiáng)度的精確控制�
3. 移相器:利用其非�(xiàn)性電容特性改變信�(hào)相位�
4. 混頻器和倍頻器:在雷�(dá)、衛(wèi)星通信和其他高頻系�(tǒng)中發(fā)揮重要作用�
5. 功率放大器保�(hù)電路:提供過(guò)載保�(hù)功能以避免損壞昂貴的射頻組件�
GA0805A680JBCBR32G, GA0805A680JBCBR33G