GA0805A680JXEBP31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機�(qū)動等場景。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
該器件屬于溝道增強型MOSFET,通過�(yōu)化設(shè)計實�(xiàn)了更低的功耗和更高的可靠�。其封裝形式為小型化表面貼裝類型,便于在緊湊型設(shè)計中使用�
型號:GA0805A680JXEBP31G
類別:功率MOSFET
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
最大漏源電壓(Vds):30V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):45A
總功耗:75W
封裝形式:TO-252(DPAK)
工作溫度范圍�-55°C�+150°C
�(jié)溫:150°C
GA0805A680JXEBP31G具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著減少導(dǎo)通損耗,適用于高效率�(yīng)��
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻操作,適合開關(guān)電源及DC-DC�(zhuǎn)換器�
3. �(yōu)秀的熱性能,能夠承受較高的�(jié)溫,提高系統(tǒng)可靠��
4. 強大的過流能�,可承受高達(dá)45A的連續(xù)漏極電流�
5. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計中的功率開�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元件�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的電機驅(qū)動電��
5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控��
6. 各種便攜式電子設(shè)備的高效電源管理方案�
GA0805A680JXEBP31H, GA0805A680JXEBP31F