GA0805A820FXBBP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� GaN(氮化鎵)基器件系列。它采用先�(jìn)� GaN 技�(shù)制�,具有高開關(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和出色的熱性能等優(yōu)勢,廣泛�(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及各種高效能功率�(zhuǎn)換場景中�
該芯片通過�(yōu)化設(shè)�(jì),能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和功率密度,同時減小整體尺寸和重量,非常適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備對緊湊性和高效性的需求�
類型:增�(qiáng)� E 模式 GaN HEMT
額定電壓�650 V
額定電流�8 A
�(dǎo)通電阻:120 mΩ
最大漏源電壓:650 V
柵極閾值電壓:1.5 V � 4.0 V
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:芯片級封裝 (CSP)
典型開關(guān)頻率:高�(dá) 5 MHz
GA0805A820FXBBP31G 的主要特性包括:
1. 高效性:基于 GaN 材料的優(yōu)異性能,該芯片在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出極低的開關(guān)損耗和�(dǎo)通損耗�
2. 快速開�(guān):具備超快的開關(guān)速度,能夠顯著減少死區(qū)時間和電磁干��
3. 小型化設(shè)�(jì):采用芯片級封裝技�(shù),體積更小,適合高密度電路設(shè)�(jì)�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):即使在高溫�(huán)境下,也能保持穩(wěn)定的電氣性能�
5. 易于�(qū)動:兼容�(biāo)�(zhǔn)邏輯電平�(qū)動,簡化了系�(tǒng)�(shè)�(jì)過程�
6. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量測試,確保在各種惡劣條件下的長期穩(wěn)定運(yùn)��
GA0805A820FXBBP31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻開關(guān)電源:如筆記本電腦適配器、手�(jī)快速充電器��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器:用于服�(wù)�、通信�(shè)備及汽車電子中的高效功率�(zhuǎn)��
3. 電機(jī)�(qū)動:支持高效的無刷直流電�(jī)控制�
4. 光伏逆變器:�(shí)�(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和功率密度�
5. LED �(qū)動:為大功率 LED 照明提供可靠的電源解決方案�
6. 工業(yè)自動化:在工�(yè)級控制器和驅(qū)動器中發(fā)揮重要作��
GA0805A820FXBBP30G, GA0805A820FXBBP32G