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GA0805A820FXBBP31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 19:04:47 查看 閱讀�14

GA0805A820FXBBP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� GaN(氮化鎵)基器件系列。它采用先�(jìn)� GaN 技�(shù)制�,具有高開關(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和出色的熱性能等優(yōu)勢,廣泛�(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及各種高效能功率�(zhuǎn)換場景中�
  該芯片通過�(yōu)化設(shè)�(jì),能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和功率密度,同時減小整體尺寸和重量,非常適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備對緊湊性和高效性的需求�

參數(shù)

類型:增�(qiáng)� E 模式 GaN HEMT
  額定電壓�650 V
  額定電流�8 A
  �(dǎo)通電阻:120 mΩ
  最大漏源電壓:650 V
  柵極閾值電壓:1.5 V � 4.0 V
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:芯片級封裝 (CSP)
  典型開關(guān)頻率:高�(dá) 5 MHz

特�

GA0805A820FXBBP31G 的主要特性包括:
  1. 高效性:基于 GaN 材料的優(yōu)異性能,該芯片在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出極低的開關(guān)損耗和�(dǎo)通損耗�
  2. 快速開�(guān):具備超快的開關(guān)速度,能夠顯著減少死區(qū)時間和電磁干��
  3. 小型化設(shè)�(jì):采用芯片級封裝技�(shù),體積更小,適合高密度電路設(shè)�(jì)�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):即使在高溫�(huán)境下,也能保持穩(wěn)定的電氣性能�
  5. 易于�(qū)動:兼容�(biāo)�(zhǔn)邏輯電平�(qū)動,簡化了系�(tǒng)�(shè)�(jì)過程�
  6. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量測試,確保在各種惡劣條件下的長期穩(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

GA0805A820FXBBP31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 高頻開關(guān)電源:如筆記本電腦適配器、手�(jī)快速充電器��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器:用于服�(wù)�、通信�(shè)備及汽車電子中的高效功率�(zhuǎn)��
  3. 電機(jī)�(qū)動:支持高效的無刷直流電�(jī)控制�
  4. 光伏逆變器:�(shí)�(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和功率密度�
  5. LED �(qū)動:為大功率 LED 照明提供可靠的電源解決方案�
  6. 工業(yè)自動化:在工�(yè)級控制器和驅(qū)動器中發(fā)揮重要作��

替代型號

GA0805A820FXBBP30G, GA0805A820FXBBP32G

ga0805a820fxbbp31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容82 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-