GA0805A820GXABP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等應用。該器件采用了先進的制造工藝,在保證高效率的同時,也提供了出色的熱性能和可靠性。
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強型晶體管,具有低導通電阻和快速開關(guān)速度的特點,適用于高頻工作環(huán)境。
型號:GA0805A820GXABP31G
類型:N 溝道 MOSFET
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導通電阻):4.5mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):50A
Qg(柵極電荷):35nC
fsw(最大開關(guān)頻率):500kHz
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
GA0805A820GXABP31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻 RDS(on),僅為 4.5mΩ,能夠顯著降低傳導損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)速度,適合高頻應用場合,最高支持 500kHz 的開關(guān)頻率。
3. 具備強大的電流承載能力,額定連續(xù)漏極電流高達 50A。
4. 高耐壓能力,VDS 最大為 60V,確保在各種復雜電路環(huán)境中穩(wěn)定運行。
5. 柵極電荷 Qg 較小,僅為 35nC,進一步減少開關(guān)損耗。
6. 封裝采用 TO-247,提供良好的散熱性能,并且易于安裝。
7. 工作溫度范圍寬廣,從 -55℃ 到 175℃,適應各種惡劣的工作條件。
這些特點使得 GA0805A820GXABP31G 在功率轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動等領域表現(xiàn)出色。
GA0805A820GXABP31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),如適配器、充電器等。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和功率管理。
3. 電機驅(qū)動,適用于無刷直流電機(BLDC)、步進電機和其他類型的電動機控制。
4. 逆變器,用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)、不間斷電源(UPS)等。
5. 工業(yè)自動化設備中的功率模塊。
由于其高效率、高可靠性和強電流處理能力,這款 MOSFET 在需要高效能量轉(zhuǎn)換和精密控制的應用中表現(xiàn)優(yōu)異。
GA0805A820GXABP31H, IRF540N, FDP5500