GA0805A820KBABR31G 是一款由 GeneSiC 半導體生�(chǎn)的碳化硅 (SiC) 基肖特基二極�。該器件采用先進的 SiC 技�(shù)制�,具有出色的開關(guān)速度和低正向電壓特�,適合高�、高效能的應用場��
該型號的封裝形式� TO-247-3L,并且其設計能夠承受較高的工作溫度范�,從而提高了系統(tǒng)的可靠性和效率�
最大正向電流:10A
峰值反向電壓:650V
正向電壓(典型值)�1.55V
反向恢復時間:無(肖特基二極管)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
熱阻(結(jié)到殼):0.7 K/W
GA0805A820KBABR31G 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 使用 SiC 材料制成,具備高耐壓和高效率性能�
2. 超低正向壓降,減少功率損�,提升整體效率�
3. 零反向恢復電�,非常適合高頻開�(guān)應用�
4. 極高的工作溫度范�,確保在惡劣�(huán)境下仍能�(wěn)定運��
5. 強大的抗浪涌能力,增強了器件的魯棒��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持綠色能源方案�
此款肖特基二極管廣泛應用于高頻率、高效率需求的電力電子�(lǐng)�,例如:
1. 太陽能逆變器中的整流電路�
2. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的輸出整流�
3. 電機�(qū)動系�(tǒng)中的�(xù)流保��
4. 電動汽車充電設備中的 DC/DC � DC/AC �(zhuǎn)換�
5. 工業(yè)自動化設備中的高頻功率轉(zhuǎn)換模��
6. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)中的能量管理組件�
GB0805A820KBABR31G