GA0805H103JXABC31G 是一款基于 GaN(氮化鎵)技術(shù)的高性能功率電子元器件,主要用于高頻開關(guān)應(yīng)用。該型號(hào)屬于增強(qiáng)型 GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提升系統(tǒng)效率和功率密度。
GaN 技術(shù)相較于傳統(tǒng)硅基 MOSFET 具有更高的工作頻率、更低的開關(guān)損耗以及更小的尺寸,因此廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線充電模塊及新能源汽車等領(lǐng)域。
額定電壓:650V
最大漏極電流:8A
導(dǎo)通電阻:100mΩ
柵極電荷:20nC
反向恢復(fù)時(shí)間:<50ns
工作溫度范圍:-40℃ 至 +125℃
該芯片采用了先進(jìn)的 GaN 工藝,具有以下主要特點(diǎn):
1. 高效性能:其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性可有效降低功耗。
2. 高頻能力:支持高達(dá)數(shù) MHz 的開關(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 小型化設(shè)計(jì):GaN 技術(shù)允許使用更小的無源元件,從而減少整體系統(tǒng)體積。
4. 熱穩(wěn)定性:具備出色的熱性能,在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 易于驅(qū)動(dòng):兼容標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平輸入,簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)過程。
此外,此器件還具有較高的可靠性和耐用性,能夠在惡劣條件下長時(shí)間工作。
GA0805H103JXABC31G 廣泛適用于多種高要求的電力電子領(lǐng)域:
1. 服務(wù)器電源和通信電源中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換。
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本電腦適配器、USB-PD 充電器等高效快充方案。
3. 新能源汽車的車載充電器 (OBC) 和 DC-DC 變換器。
4. 太陽能微型逆變器及其他分布式能源轉(zhuǎn)換設(shè)備。
5. 無線充電發(fā)射端與接收端的功率級(jí)控制。
由于其卓越的性能表現(xiàn),該型號(hào)特別適合需要高效率和小型化解決方案的應(yīng)用場(chǎng)景。
GA0805H103JXABC32G, GA0805H103JXABC33G