您好，歡迎來到維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)
登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
時(shí)間：2025/5/29 19:39:20
閱讀：17
GA0805H103JXABC31G 是一款基于 GaN（氮化鎵）技術(shù)的高性能功率電子元器件，主要用于高頻開關(guān)應(yīng)用。該型號(hào)屬于增強(qiáng)型 GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提升系統(tǒng)效率和功率密度。
GaN 技術(shù)相較于傳統(tǒng)硅基 MOSFET 具有更高的工作頻率、更低的開關(guān)損耗以及更小的尺寸，因此廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線充電模塊及新能源汽車等領(lǐng)域。
額定電壓：650V
最大漏極電流：8A
導(dǎo)通電阻：100mΩ
柵極電荷：20nC
反向恢復(fù)時(shí)間：<50ns
工作溫度范圍：-40℃ 至 +125℃
該芯片采用了先進(jìn)的 GaN 工藝，具有以下主要特點(diǎn)：
1. 高效性能：其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性可有效降低功耗。
2. 高頻能力：支持高達(dá)數(shù) MHz 的開關(guān)頻率，適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 小型化設(shè)計(jì)：GaN 技術(shù)允許使用更小的無源元件，從而減少整體系統(tǒng)體積。
4. 熱穩(wěn)定性：具備出色的熱性能，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 易于驅(qū)動(dòng)：兼容標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平輸入，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)過程。
此外，此器件還具有較高的可靠性和耐用性，能夠在惡劣條件下長時(shí)間工作。
GA0805H103JXABC31G 廣泛適用于多種高要求的電力電子領(lǐng)域：
1. 服務(wù)器電源和通信電源中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換。
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本電腦適配器、USB-PD 充電器等高效快充方案。
3. 新能源汽車的車載充電器 (OBC) 和 DC-DC 變換器。
4. 太陽能微型逆變器及其他分布式能源轉(zhuǎn)換設(shè)備。
5. 無線充電發(fā)射端與接收端的功率級(jí)控制。
由于其卓越的性能表現(xiàn)，該型號(hào)特別適合需要高效率和小型化解決方案的應(yīng)用場(chǎng)景。
GA0805H103JXABC32G, GA0805H103JXABC33G
