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GA0805H103JXABC31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 19:39:20 查看 閱讀:17

GA0805H103JXABC31G 是一款基于 GaN(氮化鎵)技術(shù)的高性能功率電子元器件,主要用于高頻開關(guān)應(yīng)用。該型號(hào)屬于增強(qiáng)型 GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提升系統(tǒng)效率和功率密度。
  GaN 技術(shù)相較于傳統(tǒng)硅基 MOSFET 具有更高的工作頻率、更低的開關(guān)損耗以及更小的尺寸,因此廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線充電模塊及新能源汽車等領(lǐng)域。

參數(shù)

額定電壓:650V
  最大漏極電流:8A
  導(dǎo)通電阻:100mΩ
  柵極電荷:20nC
  反向恢復(fù)時(shí)間:<50ns
  工作溫度范圍:-40℃ 至 +125℃

特性

該芯片采用了先進(jìn)的 GaN 工藝,具有以下主要特點(diǎn):
  1. 高效性能:其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性可有效降低功耗。
  2. 高頻能力:支持高達(dá)數(shù) MHz 的開關(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
  3. 小型化設(shè)計(jì):GaN 技術(shù)允許使用更小的無源元件,從而減少整體系統(tǒng)體積。
  4. 熱穩(wěn)定性:具備出色的熱性能,在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 易于驅(qū)動(dòng):兼容標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平輸入,簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)過程。
  此外,此器件還具有較高的可靠性和耐用性,能夠在惡劣條件下長時(shí)間工作。

應(yīng)用

GA0805H103JXABC31G 廣泛適用于多種高要求的電力電子領(lǐng)域:
  1. 服務(wù)器電源和通信電源中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換。
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本電腦適配器、USB-PD 充電器等高效快充方案。
  3. 新能源汽車的車載充電器 (OBC) 和 DC-DC 變換器。
  4. 太陽能微型逆變器及其他分布式能源轉(zhuǎn)換設(shè)備。
  5. 無線充電發(fā)射端與接收端的功率級(jí)控制。
  由于其卓越的性能表現(xiàn),該型號(hào)特別適合需要高效率和小型化解決方案的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

GA0805H103JXABC32G, GA0805H103JXABC33G

ga0805h103jxabc31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容10000 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-