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GA0805H103JXABC31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 19:39:20 查看 閱讀�17

GA0805H103JXABC31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高性能功率電子元器件,主要用于高頻開關(guān)�(yīng)�。該型號(hào)屬于增強(qiáng)� GaN HEMT(高電子遷移率晶體管�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率和功率密��
  GaN 技�(shù)相較于傳�(tǒng)硅基 MOSFET 具有更高的工作頻率、更低的開關(guān)損耗以及更小的尺寸,因此廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電模塊及新能源汽車等�(lǐng)域�

參數(shù)

額定電壓�650V
  最大漏極電流:8A
  �(dǎo)通電阻:100mΩ
  柵極電荷�20nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:<50ns
  工作溫度范圍�-40� � +125�

特�

該芯片采用了先�(jìn)� GaN 工藝,具有以下主要特�(diǎn)�
  1. 高效性能:其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性可有效降低功耗�
  2. 高頻能力:支持高�(dá)�(shù) MHz 的開�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 小型化設(shè)�(jì):GaN 技�(shù)允許使用更小的無源元�,從而減少整體系�(tǒng)體積�
  4. 熱穩(wěn)定性:具備出色的熱性能,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運(yùn)行�
  5. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn)邏輯電平輸入,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)過程�
  此外,此器件還具有較高的可靠性和耐用�,能夠在惡劣條件下長�(shí)間工作�

�(yīng)�

GA0805H103JXABC31G 廣泛適用于多種高要求的電力電子領(lǐng)域:
  1. 服務(wù)器電源和通信電源中的 DC-DC �(zhuǎn)��
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本電腦適配器、USB-PD 充電器等高效快充方案�
  3. 新能源汽車的車載充電� (OBC) � DC-DC 變換��
  4. 太陽能微型逆變器及其他分布式能源轉(zhuǎn)換設(shè)備�
  5. 無線充電�(fā)射端與接收端的功率級(jí)控制�
  由于其卓越的性能表現(xiàn),該型號(hào)特別適合需要高效率和小型化解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

GA0805H103JXABC32G, GA0805H103JXABC33G

ga0805h103jxabc31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容10000 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-