GA0805H103JXABC31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高性能功率電子元器件,主要用于高頻開關(guān)�(yīng)�。該型號(hào)屬于增強(qiáng)� GaN HEMT(高電子遷移率晶體管�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率和功率密��
GaN 技�(shù)相較于傳�(tǒng)硅基 MOSFET 具有更高的工作頻率、更低的開關(guān)損耗以及更小的尺寸,因此廣泛應(yīng)用于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電模塊及新能源汽車等�(lǐng)域�
額定電壓�650V
最大漏極電流:8A
�(dǎo)通電阻:100mΩ
柵極電荷�20nC
反向恢復(fù)�(shí)間:<50ns
工作溫度范圍�-40� � +125�
該芯片采用了先�(jìn)� GaN 工藝,具有以下主要特�(diǎn)�
1. 高效性能:其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性可有效降低功耗�
2. 高頻能力:支持高�(dá)�(shù) MHz 的開�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. 小型化設(shè)�(jì):GaN 技�(shù)允許使用更小的無源元�,從而減少整體系�(tǒng)體積�
4. 熱穩(wěn)定性:具備出色的熱性能,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運(yùn)行�
5. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn)邏輯電平輸入,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)過程�
此外,此器件還具有較高的可靠性和耐用�,能夠在惡劣條件下長�(shí)間工作�
GA0805H103JXABC31G 廣泛適用于多種高要求的電力電子領(lǐng)域:
1. 服務(wù)器電源和通信電源中的 DC-DC �(zhuǎn)��
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品如筆記本電腦適配器、USB-PD 充電器等高效快充方案�
3. 新能源汽車的車載充電� (OBC) � DC-DC 變換��
4. 太陽能微型逆變器及其他分布式能源轉(zhuǎn)換設(shè)備�
5. 無線充電�(fā)射端與接收端的功率級(jí)控制�
由于其卓越的性能表現(xiàn),該型號(hào)特別適合需要高效率和小型化解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��
GA0805H103JXABC32G, GA0805H103JXABC33G