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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805H122JBABT31G

GA0805H122JBABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 13:53:31 查看 閱讀�9

GA0805H122JBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  該芯片屬于溝道增�(qiáng)� MOSFET,通過�(yōu)化設(shè)�(jì)減少了開�(guān)損�,并在高頻工作條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的性能�

參數(shù)

型號(hào):GA0805H122JBABT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  額定電壓�60V
  額定電流�10A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�19nC
  最大功耗:3.7W
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-263

特�

GA0805H122JBABT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(4.5mΩ),可以有效降低�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá) 1MHz 的開�(guān)頻率�
  3. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,提高了芯片在惡劣環(huán)境中的抗靜電能力�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)�(shí)間可靠運(yùn)��
  5. 小尺寸封裝,便于 PCB 布局和安��
  這款 MOSFET 在設(shè)�(jì)上注重了高效能和高可靠�,適用于各種�(duì)效率要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合�

�(yīng)�

GA0805H122JBABT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):
   - 電腦電源適配�
   - 工業(yè)� DC-DC �(zhuǎn)換器
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   - 無刷直流電機(jī)控制�
   - 小型�(fēng)扇和泵驅(qū)�(dòng)
  3. 充電器:
   - 手機(jī)快速充電器
   - 筆記本電腦充電模�
  4. 汽車電子�
   - 車載逆變�
   - 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  由于其低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)頻率,該器件非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

GA0805H122KBAT31G, IRFZ44N, FDP5570N

ga0805h122jbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-