GA0805H122JBBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低熱損��
該型�(hào)中的具體參數(shù)定義包括�'GA'代表�(chǎn)品系��'0805'表示封裝�(lèi)型為SO8封裝�'H122'是內(nèi)部設(shè)�(jì)版本�(hào)�'JBBT'指代特定的電氣特�?xún)?yōu)�,而最后的'T31G'則表示柵極驅(qū)�(dòng)電壓等級(jí)和工作溫度范��
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ@Vgs=10V
漏源擊穿電壓(BVDSS):60V
連續(xù)漏極電流(ID):47A
柵極電荷(Qg):45nC
輸入電容(Ciss):1200pF
�(kāi)�(guān)速度:典型�13ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
GA0805H122JBBBT31G具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保在高電流應(yīng)用中減少功耗和熱量�(chǎn)��
2. 高速開(kāi)�(guān)性能使其適合高頻�(kāi)�(guān)電源和PWM控制電路�
3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能增強(qiáng)了器件的可靠��
4. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
此外,該器件還經(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量測(cè)�,適用于工業(yè)�(jí)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用�
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. �(fù)載切�
5. 太陽(yáng)能逆變�
6. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)電池管理系�(tǒng)
其出色的電氣特性和可靠性使它成為眾多工程師首選的解決方��
GA0805H122JBBBT31E
GA0805H122JBBBT31F
IRF540N
FDP5500
STP55NF06L