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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805H122JBBBT31G

GA0805H122JBBBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 10:18:44 查看 閱讀�13

GA0805H122JBBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低熱損��
  該型�(hào)中的具體參數(shù)定義包括�'GA'代表�(chǎn)品系��'0805'表示封裝�(lèi)型為SO8封裝�'H122'是內(nèi)部設(shè)�(jì)版本�(hào)�'JBBT'指代特定的電氣特�?xún)?yōu)�,而最后的'T31G'則表示柵極驅(qū)�(dòng)電壓等級(jí)和工作溫度范��

參數(shù)

�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ@Vgs=10V
  漏源擊穿電壓(BVDSS):60V
  連續(xù)漏極電流(ID):47A
  柵極電荷(Qg):45nC
  輸入電容(Ciss):1200pF
  �(kāi)�(guān)速度:典型�13ns
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

GA0805H122JBBBT31G具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻確保在高電流應(yīng)用中減少功耗和熱量�(chǎn)��
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能使其適合高頻�(kāi)�(guān)電源和PWM控制電路�
  3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能增強(qiáng)了器件的可靠��
  4. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  此外,該器件還經(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量測(cè)�,適用于工業(yè)�(jí)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用�

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  4. �(fù)載切�
  5. 太陽(yáng)能逆變�
  6. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)電池管理系�(tǒng)
  其出色的電氣特性和可靠性使它成為眾多工程師首選的解決方��

替代型號(hào)

GA0805H122JBBBT31E
  GA0805H122JBBBT31F
  IRF540N
  FDP5500
  STP55NF06L

ga0805h122jbbbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-