GA0805H122JBXBT31G是一款高性能的汽車級功率MOSFET芯片,專為高效率和高可靠性應(yīng)用而設(shè)計。該器件采用先進的制程技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能,適合于各種電源管理和電機驅(qū)動應(yīng)用�
該MOSFET屬于N溝道增強型器�,能夠在高頻開關(guān)條件下提供卓越的性能表現(xiàn)。其封裝形式�(jīng)過優(yōu)�,具備優(yōu)異的散熱能力和機械穩(wěn)定�,特別適用于對空間要求嚴(yán)格的車載電子系統(tǒng)�
型號:GA0805H122JBXBT31G
類型:N溝道功率MOSFET
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(典型�,Vgs=10V時)
Id(持�(xù)漏極電流):90A
Qg(柵極電荷)�25nC
fsw(最大開�(guān)頻率):1MHz
封裝形式:TO-263-3L
�+175�
GA0805H122JBXBT31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),能夠顯著降低導(dǎo)通損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高�1MHz的工作頻率,非常適合高頻DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)��
3. 緊湊的封裝設(shè)計,節(jié)省電路板空間的同時保持優(yōu)秀的散熱性能�
4. 符合AEC-Q101�(biāo)�(zhǔn),確保在�(yán)苛環(huán)境下的可靠運��
5. �(nèi)置ESD保護功能,提升抗靜電能力,減少因外界干擾�(dǎo)致的損壞�(fēng)��
6. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)從低溫到高溫的各種應(yīng)用場��
GA0805H122JBXBT31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)、電池管理及電機�(qū)動控制�
2. 工業(yè)�(shè)備中的逆變�、伺服驅(qū)動和不間斷電源(UPS��
3. 消費類電子產(chǎn)品中的適配器、充電器和便攜式�(shè)備電源管理�
4. 可再生能源領(lǐng)域的光伏逆變器和儲能系統(tǒng)�
5. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的電信電源和服務(wù)器電源模塊�
GA0805H122LBXBT31G
IRF540N
FDP55N60
STP90NF06L