GA0805H152JBABR31G 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝的高頻率、高性能放大器芯片,主要用于射頻和微波通信領(lǐng)域。該芯片具有出色的增益特性、低噪聲系數(shù)以及較高的線性度,適合于無線通信系統(tǒng)中的信號(hào)放大任務(wù)。
其設(shè)計(jì)結(jié)合了先進(jìn)的制造技術(shù)和優(yōu)化的電路結(jié)構(gòu),能夠滿足現(xiàn)代通信設(shè)備對(duì)高頻性能的苛刻要求。GA0805H152JBABR31G 在多種工作條件下均表現(xiàn)出穩(wěn)定的性能,同時(shí)具備良好的抗干擾能力。
型號(hào):GA0805H152JBABR31G
工藝類型:GaAs 工藝
工作頻率范圍:8GHz 至 12GHz
增益:15dB 典型值
輸出功率(1dB 壓縮點(diǎn)):+20dBm 典型值
噪聲系數(shù):2.5dB 典型值
電源電壓:+5V 典型值
靜態(tài)電流:150mA 典型值
封裝形式:裸芯片或小型表面貼裝封裝
工作溫度范圍:-40℃ 至 +85℃
1. 高頻率范圍支持:適用于8GHz到12GHz的高頻段應(yīng)用,覆蓋多種現(xiàn)代通信標(biāo)準(zhǔn)。
2. 高增益與線性度:在目標(biāo)頻率范圍內(nèi)提供15dB的典型增益,并保持較低的失真。
3. 低噪聲系數(shù):典型值為2.5dB,確保在弱信號(hào)環(huán)境下仍能實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的信號(hào)放大。
4. 小尺寸與高效能:采用緊湊型封裝設(shè)計(jì),易于集成到空間受限的設(shè)備中。
5. 寬溫范圍操作:能夠在工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件。
6. 穩(wěn)定性優(yōu)異:經(jīng)過嚴(yán)格的測試和驗(yàn)證,保證長期使用的可靠性和一致性。
1. 無線通信基站:
用于提升基站接收端和發(fā)射端的信號(hào)質(zhì)量,特別是在高頻段通信中。
2. 衛(wèi)星通信:
適用于衛(wèi)星地面站及用戶終端中的信號(hào)放大處理。
3. 微波鏈路:
為點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)微波通信系統(tǒng)提供關(guān)鍵的信號(hào)放大功能。
4. 雷達(dá)系統(tǒng):
作為雷達(dá)收發(fā)模塊的一部分,增強(qiáng)系統(tǒng)的探測能力和分辨率。
5. 測試測量設(shè)備:
用作信號(hào)源或接收機(jī)前端的放大組件,以提高測試精度。
GA0805H152JBABR29F, GA0805H152JBABR30G