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GA0805H152JBABR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/10 14:55:26 查看 閱讀:25

GA0805H152JBABR31G 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝的高頻率、高性能放大器芯片,主要用于射頻和微波通信領(lǐng)域。該芯片具有出色的增益特性、低噪聲系數(shù)以及較高的線性度,適合于無線通信系統(tǒng)中的信號(hào)放大任務(wù)。
  其設(shè)計(jì)結(jié)合了先進(jìn)的制造技術(shù)和優(yōu)化的電路結(jié)構(gòu),能夠滿足現(xiàn)代通信設(shè)備對(duì)高頻性能的苛刻要求。GA0805H152JBABR31G 在多種工作條件下均表現(xiàn)出穩(wěn)定的性能,同時(shí)具備良好的抗干擾能力。

參數(shù)

型號(hào):GA0805H152JBABR31G
  工藝類型:GaAs 工藝
  工作頻率范圍:8GHz 至 12GHz
  增益:15dB 典型值
  輸出功率(1dB 壓縮點(diǎn)):+20dBm 典型值
  噪聲系數(shù):2.5dB 典型值
  電源電壓:+5V 典型值
  靜態(tài)電流:150mA 典型值
  封裝形式:裸芯片或小型表面貼裝封裝
  工作溫度范圍:-40℃ 至 +85℃

特性

1. 高頻率范圍支持:適用于8GHz到12GHz的高頻段應(yīng)用,覆蓋多種現(xiàn)代通信標(biāo)準(zhǔn)。
  2. 高增益與線性度:在目標(biāo)頻率范圍內(nèi)提供15dB的典型增益,并保持較低的失真。
  3. 低噪聲系數(shù):典型值為2.5dB,確保在弱信號(hào)環(huán)境下仍能實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的信號(hào)放大。
  4. 小尺寸與高效能:采用緊湊型封裝設(shè)計(jì),易于集成到空間受限的設(shè)備中。
  5. 寬溫范圍操作:能夠在工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件。
  6. 穩(wěn)定性優(yōu)異:經(jīng)過嚴(yán)格的測試和驗(yàn)證,保證長期使用的可靠性和一致性。

應(yīng)用

1. 無線通信基站:
  用于提升基站接收端和發(fā)射端的信號(hào)質(zhì)量,特別是在高頻段通信中。
  2. 衛(wèi)星通信:
  適用于衛(wèi)星地面站及用戶終端中的信號(hào)放大處理。
  3. 微波鏈路:
  為點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)微波通信系統(tǒng)提供關(guān)鍵的信號(hào)放大功能。
  4. 雷達(dá)系統(tǒng):
  作為雷達(dá)收發(fā)模塊的一部分,增強(qiáng)系統(tǒng)的探測能力和分辨率。
  5. 測試測量設(shè)備:
  用作信號(hào)源或接收機(jī)前端的放大組件,以提高測試精度。

替代型號(hào)

GA0805H152JBABR29F, GA0805H152JBABR30G

ga0805h152jbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容1500 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-