GA0805H152JBABR31G 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝的高頻�、高性能放大器芯�,主要用于射頻和微波通信�(lǐng)�。該芯片具有出色的增益特性、低噪聲系數(shù)以及較高的線性度,適合于無線通信系統(tǒng)中的信號(hào)放大任務(wù)�
其設(shè)�(jì)�(jié)合了先�(jìn)的制造技�(shù)和優(yōu)化的電路�(jié)�(gòu),能夠滿足現(xiàn)代通信�(shè)備對(duì)高頻性能的苛刻要�。GA0805H152JBABR31G 在多種工作條件下均表�(xiàn)出穩(wěn)定的性能,同�(shí)具備良好的抗干擾能力�
型號(hào):GA0805H152JBABR31G
工藝類型:GaAs 工藝
工作頻率范圍�8GHz � 12GHz
增益�15dB 典型�
輸出功率�1dB 壓縮�(diǎn)):+20dBm 典型�
噪聲系數(shù)�2.5dB 典型�
電源電壓�+5V 典型�
靜態(tài)電流�150mA 典型�
封裝形式:裸芯片或小型表面貼裝封�
工作溫度范圍�-40� � +85�
1. 高頻率范圍支持:適用�8GHz�12GHz的高頻段�(yīng)用,覆蓋多種�(xiàn)代通信�(biāo)�(zhǔn)�
2. 高增益與線性度:在目標(biāo)頻率范圍�(nèi)提供15dB的典型增益,并保持較低的失真�
3. 低噪聲系�(shù):典型值為2.5dB,確保在弱信�(hào)�(huán)境下仍能�(shí)�(xiàn)高質(zhì)量的信號(hào)放大�
4. 小尺寸與高效能:采用緊湊型封裝設(shè)�(jì),易于集成到空間受限的設(shè)備中�
5. 寬溫范圍操作:能夠在工業(yè)�(jí)溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
6. �(wěn)定性優(yōu)異:�(jīng)過嚴(yán)格的測試和驗(yàn)�,保證長期使用的可靠性和一致��
1. 無線通信基站�
用于提升基站接收端和�(fā)射端的信�(hào)�(zhì)�,特別是在高頻段通信��
2. �(wèi)星通信�
適用于衛(wèi)星地面站及用戶終端中的信�(hào)放大處理�
3. 微波鏈路�
為點(diǎn)�(duì)�(diǎn)或點(diǎn)�(duì)多點(diǎn)微波通信系統(tǒng)提供�(guān)鍵的信號(hào)放大功能�
4. 雷達(dá)系統(tǒng)�
作為雷達(dá)收發(fā)模塊的一部分,增�(qiáng)系統(tǒng)的探測能力和分辨��
5. 測試測量�(shè)備:
用作信號(hào)源或接收�(jī)前端的放大組�,以提高測試精度�
GA0805H152JBABR29F, GA0805H152JBABR30G