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時(shí)間：2025/5/10 14:55:26
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GA0805H152JBABR31G 是一款基于砷化鎵（GaAs）工藝的高頻率、高性能放大器芯片，主要用于射頻和微波通信領(lǐng)域。該芯片具有出色的增益特性、低噪聲系數(shù)以及較高的線性度，適合于無線通信系統(tǒng)中的信號(hào)放大任務(wù)。
其設(shè)計(jì)結(jié)合了先進(jìn)的制造技術(shù)和優(yōu)化的電路結(jié)構(gòu)，能夠滿足現(xiàn)代通信設(shè)備對(duì)高頻性能的苛刻要求。GA0805H152JBABR31G 在多種工作條件下均表現(xiàn)出穩(wěn)定的性能，同時(shí)具備良好的抗干擾能力。
型號(hào)：GA0805H152JBABR31G
工藝類型：GaAs 工藝
工作頻率范圍：8GHz 至 12GHz
增益：15dB 典型值
輸出功率（1dB 壓縮點(diǎn)）：+20dBm 典型值
噪聲系數(shù)：2.5dB 典型值
電源電壓：+5V 典型值
靜態(tài)電流：150mA 典型值
封裝形式：裸芯片或小型表面貼裝封裝
工作溫度范圍：-40℃ 至 +85℃
1. 高頻率范圍支持：適用于8GHz到12GHz的高頻段應(yīng)用，覆蓋多種現(xiàn)代通信標(biāo)準(zhǔn)。
2. 高增益與線性度：在目標(biāo)頻率范圍內(nèi)提供15dB的典型增益，并保持較低的失真。
3. 低噪聲系數(shù)：典型值為2.5dB，確保在弱信號(hào)環(huán)境下仍能實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的信號(hào)放大。
4. 小尺寸與高效能：采用緊湊型封裝設(shè)計(jì)，易于集成到空間受限的設(shè)備中。
5. 寬溫范圍操作：能夠在工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件。
6. 穩(wěn)定性優(yōu)異：經(jīng)過嚴(yán)格的測試和驗(yàn)證，保證長期使用的可靠性和一致性。
1. 無線通信基站：
用于提升基站接收端和發(fā)射端的信號(hào)質(zhì)量，特別是在高頻段通信中。
2. 衛(wèi)星通信：
適用于衛(wèi)星地面站及用戶終端中的信號(hào)放大處理。
3. 微波鏈路：
為點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)微波通信系統(tǒng)提供關(guān)鍵的信號(hào)放大功能。
4. 雷達(dá)系統(tǒng)：
作為雷達(dá)收發(fā)模塊的一部分，增強(qiáng)系統(tǒng)的探測能力和分辨率。
5. 測試測量設(shè)備：
用作信號(hào)源或接收機(jī)前端的放大組件，以提高測試精度。
GA0805H152JBABR29F, GA0805H152JBABR30G
