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GA0805H152MBABT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 13:02:10 查看 閱讀:17

GA0805H152MBABT31G 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換等場景。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高效率和出色的熱性能。
  其封裝形式為 LFPAK8,能夠有效降低寄生電感并提升系統(tǒng)的整體效能。這款芯片適合需要高電流承載能力的應(yīng)用場合,并且能夠在高頻條件下保持較低的功耗。

參數(shù)

型號:GA0805H152MBABT31G
  類型:MOSFET
  工作電壓:30V
  最大漏源電流:149A
  導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  封裝形式:LFPAK8
  柵極電荷:20nC
  結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

GA0805H152MBABT31G 具有以下顯著特點(diǎn):
  1. 超低導(dǎo)通電阻(1.5mΩ),可顯著減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 高額定電流(149A),適用于大功率應(yīng)用環(huán)境。
  3. 極低的柵極電荷(20nC),有助于減少開關(guān)損耗。
  4. 支持寬廣的工作溫度范圍(-55℃ 至 +175℃),確保在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. LFPAK8 封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化了散熱性能,同時(shí)減少了寄生電感的影響。
  6. 快速開關(guān)速度,適用于高頻電路設(shè)計(jì)。
  7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率模塊
  6. 汽車電子中的負(fù)載切換
  7. 可再生能源系統(tǒng)中的逆變器設(shè)計(jì)

ga0805h152mbabt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容1500 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-