型號(hào)：GA0805H182MBXBT31G
　　封裝：QFN32
　　工作電壓：2.7V 至 5.5V
　　輸出電流：高達(dá) 2A
　　開(kāi)關(guān)頻率：2MHz
　　效率：高達(dá) 95%
　　待機(jī)電流：小于 1μA
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +125°C
　　ESD 保護(hù)：4kV（HBM標(biāo)準(zhǔn)）

GA0805H182MBXBT31G 的主要特性包括高集成度、高效率以及靈活性。
　　1. 內(nèi)置功率MOSFET，減少外部元件數(shù)量，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
　　2. 支持可調(diào)輸出電壓，用戶可以通過(guò)外部電阻分壓器設(shè)置所需的電壓值。
　　3. 具有多種保護(hù)功能，如過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)和短路保護(hù)，提高了系統(tǒng)的可靠性。
　　4. 高效的脈沖寬度調(diào)制（PWM）控制模式，保證在輕載條件下仍然保持高效率。
　　5. 小型封裝適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景，同時(shí)提供了良好的散熱性能。

該芯片廣泛應(yīng)用于各種便攜式電子設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中，包括智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備、藍(lán)牙音箱等需要高效電源管理方案的場(chǎng)合。
　　此外，GA0805H182MBXBT31G 還適用于以下領(lǐng)域：
　　1. USB充電器及適配器
　　2. 智能家居產(chǎn)品
　　3. 工業(yè)控制與自動(dòng)化系統(tǒng)
　　4. 物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備
　　由于其出色的性能表現(xiàn)和廣泛的適應(yīng)性，該芯片成為許多工程師設(shè)計(jì)時(shí)的首選。

GA0805H182MBXBT31F, GA0805H182MBXBT31E