GA0805H183MBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET,采用先進的制造工�,適用于多種電力電子應用。該器件具有低導通電阻和快速開關特�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。其封裝形式� TO-263(D2PAK�,適合表面貼裝技術(SMT)裝配�
這種 MOSFET 通常用于直流-直流轉換�、電機驅�、負載開關以及其他需要高效功率管理的場合。其高可靠性和耐用性使其成為工�(yè)和消費類電子設備的理想選擇�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�85nC
開關速度:超�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263(D2PAK�
GA0805H183MBABR31G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電阻(1.8mΩ 典型值),有助于減少導通損�,提高整體效��
2. 快速開關能力,支持高頻操作,適合現(xiàn)代高效功率轉換需��
3. 高額定電流(高達 50A 連續(xù)漏極電流�,使其能夠承受較大的負載�
4. 寬工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,確保在極端�(huán)境下仍能�(wěn)定運行�
5. 封裝設計緊湊,符合表面貼裝要�,便于自動化生產和小型化設計�
6. 內部集成保護功能(如過流保護和熱關斷�,增強了系統(tǒng)的安全性和可靠��
GA0805H183MBABR31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率級元件�
2. 直流-直流轉換器,用于電壓調節(jié)和負載管��
3. 電機驅動電路,控制電機的速度和方��
4. 負載開關,實�(xiàn)對不同負載的有效切換�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊�
6. 汽車電子系統(tǒng),例如電池管理系�(tǒng)(BMS)和逆變��
7. 消費類電子產品中的高效功率管理單��
GA0805H183MBABR32G, IRFZ44N, FDP5500NL