GA0805H183MBXBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載開�(guān)等場�。該器件采用了先�(jìn)的工藝技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)的整體性能�
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,具有快速開�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)�。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的設(shè)�(jì)中使��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�92A
�(dǎo)通電阻:1.4mΩ
柵極電荷�68nC
總電容:1150pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0805H183MBXBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在大電流�(yīng)用中減少功��
2. 高電流承載能�,適合大功率�(yīng)用場景�
3. 快速開�(guān)性能,支持高頻操��
4. �(yōu)化的熱性能,確保長時間�(wěn)定運(yùn)��
5. 緊湊的封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
該芯片適用于以下�(yīng)用領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機(jī)�(qū)動控�
3. �(fù)載開�(guān)
4. DC/DC �(zhuǎn)換器
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
6. 工業(yè)自動化設(shè)�
7. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理模塊