国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GA0805H222JBABR31G

GA0805H222JBABR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 15:46:29 查看 閱讀�21

GA0805H222JBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率和高功率應用而設�。該芯片采用了先進的制造工藝,能夠提供卓越的導通電阻和開關(guān)性能,適用于各種工業(yè)和消費電子領(lǐng)域。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的應用中使用�

參數(shù)

型號:GA0805H222JBABR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�120A
  導通電�(Rds(on))�2.2mΩ
  柵極電荷(Qg)�40nC
  功�(PD)�72W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA0805H222JBABR31G 具有低導通電阻的特點,這使得它在高電流應用中能夠顯著降低功率損耗。此外,該芯片的快速開�(guān)能力和低柵極電荷使其非常適合高頻開關(guān)應用。其耐高溫性能也確保了在極端環(huán)境下的可靠運行�
  該芯片還具有良好的熱�(wěn)定�,通過�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)設計,能夠有效散�(fā)熱量,從而延長器件壽�。同時,其強大的過流保護能力可以防止因意外過載而導致的損壞�

應用

這款功率 MOSFET 廣泛應用于直流電機驅(qū)�、電源管理模�、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變�、電動工具以及各類工�(yè)控制設備�。由于其出色的電氣性能和可靠性,它特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和嚴格溫控的場��

替代型號

IRFP260N
  FDP16N60E
  STP120N10F5

ga0805h222jbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-