GA0805H222JBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率和高功率應用而設�。該芯片采用了先進的制造工藝,能夠提供卓越的導通電阻和開關(guān)性能,適用于各種工業(yè)和消費電子領(lǐng)域。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的應用中使用�
型號:GA0805H222JBABR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�120A
導通電�(Rds(on))�2.2mΩ
柵極電荷(Qg)�40nC
功�(PD)�72W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA0805H222JBABR31G 具有低導通電阻的特點,這使得它在高電流應用中能夠顯著降低功率損耗。此外,該芯片的快速開�(guān)能力和低柵極電荷使其非常適合高頻開關(guān)應用。其耐高溫性能也確保了在極端環(huán)境下的可靠運行�
該芯片還具有良好的熱�(wěn)定�,通過�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)設計,能夠有效散�(fā)熱量,從而延長器件壽�。同時,其強大的過流保護能力可以防止因意外過載而導致的損壞�
這款功率 MOSFET 廣泛應用于直流電機驅(qū)�、電源管理模�、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變�、電動工具以及各類工�(yè)控制設備�。由于其出色的電氣性能和可靠性,它特別適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和嚴格溫控的場��
IRFP260N
FDP16N60E
STP120N10F5