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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805H222MXXBC31G

GA0805H222MXXBC31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/25 18:12:45 查看 閱讀�40

GA0805H222MXXBC31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝以提供卓越的開(kāi)�(guān)性能和低�(dǎo)通電�。該器件通常用于高效率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)景。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能與靜�(tài)性能之間的平�,適用于需要高頻率操作和低損耗的�(yīng)用環(huán)境�
  該芯片具備強(qiáng)大的耐用性和可靠�,適合工�(yè)和汽車領(lǐng)域中的嚴(yán)苛工作條件�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  封裝:PQFN
  額定電壓�60V
  額定電流�100A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.2mΩ
  柵極電荷�47nC
  連續(xù)漏極電流�100A
  功耗:23W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA0805H222MXXBC31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了高效的電力傳輸并降低了熱損��
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力使其非常適合高頻�(yīng)用場(chǎng)�,減少磁性元件體積和成本�
  3. �(yōu)化的柵極電荷和輸出電容提升了整體效率�
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路提高了系�(tǒng)的抗干擾能力�
  5. 小型化封� PQFN 提供更好的散熱表�(xiàn)以及節(jié)� PCB 空間�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球市場(chǎng)的法�(guī)要求�
  7. 支持寬范圍的工作溫度,確保在極端�(huán)境下依然保持�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 中作為主功率�(kāi)�(guān)��
  2. 汽車電子系統(tǒng)中的電機(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載控��
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和�(qū)�(dòng)電路�
  4. 通信基站中的高效 DC-DC �(zhuǎn)換模��
  5. 筆記本電腦適配器和其他消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理部��
  6. 太陽(yáng)能微逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的�(guān)鍵功率處理組��

替代型號(hào)

GA0805H222MXXAC31G, IRF540N, FDP55N06L

ga0805h222mxxbc31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-