GA0805H223JBXBT31G 是一款高性能� MOSFET 場效�(yīng)晶體�,主要用于開�(guān)和放大應(yīng)用。該型號屬于 GaN(氮化鎵)基器件系列,具有出色的高頻性能和低�(dǎo)通電阻特�,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、快速充電器、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他高頻電力電子�(yīng)用場��
相比傳統(tǒng)的硅� MOSFET,該器件在開�(guān)速度、導(dǎo)通損耗和熱性能方面均有顯著提升,能夠滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對高效能和小型化的需��
類型:增�(qiáng)� MOSFET
材料:GaN(氮化鎵�
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:22mΩ
柵極電荷�90nC
開關(guān)頻率:最高可�(dá) 5MHz
封裝形式:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0805H223JBXBT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 高開�(guān)速度和低柵極電荷�(shè)�(jì),使其非常適合高頻應(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器� LLC 諧振�(zhuǎn)換器�
3. 寬禁帶材料(GaN)帶來了更高的擊穿電壓能力和更優(yōu)的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
4. 小巧的封裝形式節(jié)省了 PCB 空間,同�(shí)提高了功率密��
5. �(nèi)置保�(hù)功能(如過流保護(hù)),增強(qiáng)了器件的可靠性和使用壽命�
這款芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器� USB-PD 控制��
2. 工業(yè)�(lǐng)域的高效 DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變��
3. 電信�(shè)備中的電源管理模��
4. 太陽能微逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的高頻開�(guān)電路�
5. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器的電源解決方案,提供更高的功率密度和更低的能量損��
GA0805H223JAXT31G, GA0805H223JBXT31G