国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GA0805H223JBXBT31G

GA0805H223JBXBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 13:50:22 查看 閱讀�8

GA0805H223JBXBT31G 是一款高性能� MOSFET 場效�(yīng)晶體�,主要用于開�(guān)和放大應(yīng)用。該型號屬于 GaN(氮化鎵)基器件系列,具有出色的高頻性能和低�(dǎo)通電阻特�,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、快速充電器、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他高頻電力電子�(yīng)用場��
  相比傳統(tǒng)的硅� MOSFET,該器件在開�(guān)速度、導(dǎo)通損耗和熱性能方面均有顯著提升,能夠滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對高效能和小型化的需��

參數(shù)

類型:增�(qiáng)� MOSFET
  材料:GaN(氮化鎵�
  最大漏源電壓:650V
  最大連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻:22mΩ
  柵極電荷�90nC
  開關(guān)頻率:最高可�(dá) 5MHz
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA0805H223JBXBT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 高開�(guān)速度和低柵極電荷�(shè)�(jì),使其非常適合高頻應(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器� LLC 諧振�(zhuǎn)換器�
  3. 寬禁帶材料(GaN)帶來了更高的擊穿電壓能力和更優(yōu)的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  4. 小巧的封裝形式節(jié)省了 PCB 空間,同�(shí)提高了功率密��
  5. �(nèi)置保�(hù)功能(如過流保護(hù)),增強(qiáng)了器件的可靠性和使用壽命�

�(yīng)�

這款芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器� USB-PD 控制��
  2. 工業(yè)�(lǐng)域的高效 DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變��
  3. 電信�(shè)備中的電源管理模��
  4. 太陽能微逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的高頻開�(guān)電路�
  5. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器的電源解決方案,提供更高的功率密度和更低的能量損��

替代型號

GA0805H223JAXT31G, GA0805H223JBXT31G

ga0805h223jbxbt31g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

ga0805h223jbxbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-