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GA0805H272JBBBR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/22 15:43:07 查看 閱讀:19

GA0805H272JBBBR31G 是一款由 ON Semiconductor 提供的高性能 N 溝道功率 MOSFET,采用 TOLL 封裝形式。這款 MOSFET 主要應用于高效率電源轉換、DC-DC 轉換器、電機驅動和負載開關等領域。該器件具有低導通電阻和快速開關速度,從而能夠在高頻工作條件下提供出色的性能表現(xiàn)。
  此型號基于先進的制程技術設計,確保在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性,非常適合需要高效能量轉換和熱管理的應用場景。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:94A
  導通電阻(典型值):1.5mΩ
  柵極電荷(典型值):95nC
  反向恢復時間:47ns
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝類型:TOLL

特性

GA0805H272JBBBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻 (Rds(on)),有助于降低傳導損耗并提升整體效率。
  2. 快速的開關速度,能夠適應高頻應用需求。
  3. 高雪崩能力和魯棒性,確保在異常工作條件下的可靠性。
  4. 緊湊型封裝設計,適合高密度 PCB 布局。
  5. 支持寬范圍的工作溫度,適用于嚴苛環(huán)境中的電力電子系統(tǒng)。
  6. 符合 AEC-Q101 標準,滿足汽車級應用的要求。
  7. 具備出色的熱性能,可有效減少散熱設計復雜度。

應用

該芯片廣泛應用于以下領域:
  1. 工業(yè)和汽車 DC-DC 轉換器。
  2. 高效電機驅動電路。
  3. 開關模式電源 (SMPS)。
  4. 太陽
  5. 電動車和混合動力車中的牽引逆變器。
  6. 高電流負載開關和保護電路。
  由于其卓越的電氣特性和可靠性,GA0805H272JBBBR31G 成為眾多高功率密度設計的理想選擇。

替代型號

GA0805H272JBBAAR31G

ga0805h272jbbbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-