時間：2025/5/22 15:43:07
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GA0805H272JBBBR31G 是一款由 ON Semiconductor 提供的高性能 N 溝道功率 MOSFET，采用 TOLL 封裝形式。這款 MOSFET 主要應用于高效率電源轉換、DC-DC 轉換器、電機驅動和負載開關等領域。該器件具有低導通電阻和快速開關速度，從而能夠在高頻工作條件下提供出色的性能表現(xiàn)。
此型號基于先進的制程技術設計，確保在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性，非常適合需要高效能量轉換和熱管理的應用場景。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：94A
導通電阻（典型值）：1.5mΩ
柵極電荷（典型值）：95nC
反向恢復時間：47ns
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝類型：TOLL
GA0805H272JBBBR31G 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，有助于降低傳導損耗并提升整體效率。
2. 快速的開關速度，能夠適應高頻應用需求。
3. 高雪崩能力和魯棒性，確保在異常工作條件下的可靠性。
4. 緊湊型封裝設計，適合高密度 PCB 布局。
5. 支持寬范圍的工作溫度，適用于嚴苛環(huán)境中的電力電子系統(tǒng)。
6. 符合 AEC-Q101 標準，滿足汽車級應用的要求。
7. 具備出色的熱性能，可有效減少散熱設計復雜度。
該芯片廣泛應用于以下領域：
1. 工業(yè)和汽車 DC-DC 轉換器。
2. 高效電機驅動電路。
3. 開關模式電源 (SMPS)。
4. 太陽
5. 電動車和混合動力車中的牽引逆變器。
6. 高電流負載開關和保護電路。
由于其卓越的電氣特性和可靠性，GA0805H272JBBBR31G 成為眾多高功率密度設計的理想選擇。
GA0805H272JBBAAR31G
