GA0805H272MBXBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度以及出色的熱性能,適合用于各類工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中。其設(shè)計(jì)旨在優(yōu)化系統(tǒng)效率并降低功耗。
型號(hào):GA0805H272MBXBR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):40V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):80A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
總柵極電荷(Qg):68nC
輸入電容(Ciss):3290pF
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA0805H272MBXBR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流處理能力,支持高達(dá)80A的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能,具備較低的柵極電荷和輸入電容,有助于降低開(kāi)關(guān)損耗。
4. 良好的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 寬泛的工作溫度范圍,可適應(yīng)惡劣環(huán)境下的使用需求。
6. 高可靠性設(shè)計(jì),確保長(zhǎng)期使用的安全性與穩(wěn)定性。
GA0805H272MBXBR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS),包括AC-DC適配器和工業(yè)電源模塊。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,例如電動(dòng)車窗、座椅調(diào)節(jié)和風(fēng)扇控制等。
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS),在電動(dòng)汽車或儲(chǔ)能設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效充放電管理。
4. 逆變器和不間斷電源(UPS)中的關(guān)鍵功率轉(zhuǎn)換組件。
5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的功率級(jí)電路設(shè)計(jì)。
GA0805H272MBXBR31G, IRF3205, FDP066N04L