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GA0805H332JBABR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 12:01:55 查看 閱讀:15

GA0805H332JBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等高效率功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠顯著提升系統(tǒng)的整體效率并降低熱損耗。
  該芯片專為高頻率和高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì),其優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)定的靜態(tài)參數(shù)使其在各種工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用。

參數(shù)

型號(hào):GA0805H332JBABR31G
  類型:N溝道功率MOSFET
  工作電壓:650V
  連續(xù)漏極電流:8A
  導(dǎo)通電阻:0.07Ω(典型值)
  柵極電荷:45nC(最大值)
  開(kāi)關(guān)速度:快速開(kāi)關(guān)
  封裝形式:TO-220
  工作溫度范圍:-55℃至+150℃

特性

GA0805H332JBABR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少功率損耗并提高效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān)特性,支持高頻應(yīng)用,可有效減小磁性元件體積。
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的可靠性。
  4. 內(nèi)置柵極保護(hù)電路,防止因過(guò)壓或靜電放電導(dǎo)致?lián)p壞。
  5. 穩(wěn)定的電氣參數(shù),確保在極端條件下的可靠運(yùn)行。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合多種應(yīng)用場(chǎng)景。
  這些特點(diǎn)使得該芯片適用于對(duì)效率和可靠性要求較高的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

GA0805H332JBABR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS):
   包括適配器、充電器以及各種AC-DC轉(zhuǎn)換器。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):
   用于無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)和其他類型的電機(jī)控制電路。
  3. DC-DC轉(zhuǎn)換器:
   在汽車電子、通信設(shè)備以及其他需要高效電壓轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化:
   如PLC控制器、伺服驅(qū)動(dòng)器等對(duì)功率管理要求較高的設(shè)備。
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:
   包括電視、音響系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)模塊。
  其出色的性能和穩(wěn)定性使其成為眾多高要求應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

GA0805H332JBABR32G, IRF840, STP16NF65

ga0805h332jbabr31g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ga0805h332jbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-