GA0805H333JBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、低功耗的�(yīng)用場景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制程工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)特�,適用于多種電源管理及驅(qū)動電路。其封裝形式緊湊,能夠有效節(jié)� PCB 空間,同�(shí)具備出色的熱性能和電氣穩(wěn)定��
這款芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS�、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。通過�(yōu)化的柵極�(qū)動設(shè)�(jì),可顯著降低開關(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
型號:GA0805H333JBABR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 下)
總功�(Ptot)�75W
工作溫度范圍(Topr)�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3L
GA0805H333JBABR31G 的主要特性包括:
- 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升效率�
- 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場��
- 高雪崩能量能�,增�(qiáng)器件在異常條件下的魯棒性�
- �(nèi)置反向二極管,簡化電路設(shè)�(jì)并提供額外保�(hù)功能�
- �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下的可靠運(yùn)行�
- 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
該芯片適用于以下�(yīng)用場景:
- 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件�
- DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率器��
- 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
- 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
- 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電路徑管理�
- 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換與�(qū)動模��
GA0805H333JBAR31G
IRFZ44N
FDP16N30
STP40NF06L