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GA0805H333JBABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 12:58:34 查看 閱讀�2

GA0805H333JBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、低功耗的�(yīng)用場景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制程工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)特�,適用于多種電源管理及驅(qū)動電路。其封裝形式緊湊,能夠有效節(jié)� PCB 空間,同�(shí)具備出色的熱性能和電氣穩(wěn)定��
  這款芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS�、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。通過�(yōu)化的柵極�(qū)動設(shè)�(jì),可顯著降低開關(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�

參數(shù)

型號:GA0805H333JBABR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 下)
  總功�(Ptot)�75W
  工作溫度范圍(Topr)�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3L

特�

GA0805H333JBABR31G 的主要特性包括:
  - 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升效率�
  - 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場��
  - 高雪崩能量能�,增�(qiáng)器件在異常條件下的魯棒性�
  - �(nèi)置反向二極管,簡化電路設(shè)�(jì)并提供額外保�(hù)功能�
  - �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下的可靠運(yùn)行�
  - 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(yīng)用場景:
  - 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率器��
  - 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
  - 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  - 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電路徑管理�
  - 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換與�(qū)動模��

替代型號

GA0805H333JBAR31G
  IRFZ44N
  FDP16N30
  STP40NF06L

ga0805h333jbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.033 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-