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GA0805H333MBABR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 16:13:04 查看 閱讀�21

GA0805H333MBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先進的半導體制造工�,主要用于高頻開關電�、DC-DC轉換�、電機驅動等應用領域。該器件具有低導通電阻和快速開關速度的特點,能夠顯著提高電路效率并降低功��
  此型號屬于功率MOSFET家族,其封裝形式為行�(yè)標準的小型化表面貼裝器件(SMD�,適合高密度組裝需求。通過�(yōu)化柵極電荷和輸出電容,該器件在高頻工作條件下表現(xiàn)出色�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�50A
  導通電�(Rds(on))�1.5mΩ
  柵極電荷(Qg)�39nC
  總電�(Ciss)�4070pF
  結溫范圍(Tj)�-55℃至+175�

特�

GA0805H333MBABR31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少傳導損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開關性能,得益于較低的柵極電荷和�(yōu)化的寄生電容設計�
  3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的可靠��
  4. 小型化的封裝尺寸,便于在空間受限的應用中使用�
  5. 支持高達175℃的工作結溫,確保在高溫�(huán)境中的穩(wěn)定��
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材��
  這些特點使該器件非常適合用于高效能電力電子設備,如筆記本電腦適配�、LED驅動器和工業(yè)電源模塊�

應用

該芯片廣泛應用于多個領�,包括但不限于:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. DC-DC轉換�
  3. 電機驅動控制
  4. 電池保護電路
  5. 汽車電子系統(tǒng)
  6. 工業(yè)自動化設�
  7. 可再生能源逆變�
  由于其高效的開關特性和強大的電流處理能�,GA0805H333MBABR31G 成為許多設計工程師的理想選擇�

替代型號

GA0805H333MBABR29G, IRF3205, FDP55N06L

ga0805h333mbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.033 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-