GA0805H393JBXBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� GaN(氮化鎵)基技�(shù)�(chǎn)�。該芯片采用先�(jìn)的封裝設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和卓越的熱性能,廣泛應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)換器等領(lǐng)��
該器件利用氮化鎵材料的獨(dú)特優(yōu)�(shì),在高頻�(yīng)用中展現(xiàn)出優(yōu)異的效率表現(xiàn),并能顯著減少系�(tǒng)尺寸和重��
�(lèi)型:功率 MOSFET
材料:GaN(氮化鎵�
最大漏源電�(Vds)�650V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�8A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�40mΩ
柵極電荷(Qg)�70nC
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-220
輸入電容(Ciss)�2200pF
GA0805H393JBXBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可有效降低傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能使得該芯片適合高頻應(yīng)用場(chǎng)�,可顯著減小磁性元件體積�
3. �(nèi)置過(guò)溫保�(hù)功能,確保在極端條件下的可靠性�
4. 具備快速恢�(fù)能力,能夠承受較高的dv/dt�(yīng)�,適用于硬開(kāi)�(guān)電路�
5. 采用先�(jìn)的封裝技�(shù),優(yōu)化了散熱路徑,增�(qiáng)了熱管理能力�
6. 寬泛的工作溫度范圍使其能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)�
- 用于AC-DC�(zhuǎn)換器中的PFC�(jí)和主變換�(jí),提供高效能量轉(zhuǎn)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
- 在隔離式和非隔離式轉(zhuǎn)換器中作為主�(kāi)�(guān)管使用�
3. �(fù)載點(diǎn)(POL) �(zhuǎn)換器�
- 提供快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)和高效率,滿足現(xiàn)代數(shù)字負(fù)載需��
4. 光伏逆變器:
- �(shí)�(xiàn)高效的直流到交流�(zhuǎn)�,支持綠色能源發(fā)展�
5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器:
- 用于�(wú)刷直流電�(jī)控制,提供精確的速度�(diào)節(jié)和位置控制�
6. 快速充電器�
- 在便攜式�(shè)備充電解決方案中�(fā)揮重要作�,實(shí)�(xiàn)更快的充電速度�
GA0805H393JBXBR32G
GA0805H393JBXBR33G