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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805H393MXABR31G

GA0805H393MXABR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 20:28:11 查看 閱讀�20

GA0805H393MXABR31G 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�。該型號(hào)采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,適合用于各種高效能電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。此器件屬于U-MOS VIII-H系列,專為降低功耗和提高系統(tǒng)效率而設(shè)�(jì)�
  該型�(hào)采用TO-263-3(D2PAK)封裝形式,具有較大的散熱面�,能夠滿足高功率�(yīng)用場(chǎng)景下的熱管理需求�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�37A
  �(dǎo)通電阻:1.6mΩ
  柵極電荷�45nC
  輸入電容�1080pF
  工作溫度范圍�-55� to 175�

特�

GA0805H393MXABR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了在高電流負(fù)載下也能保持較低的功耗�
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能使其非常適合高頻�(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)��
  3. �(yōu)化的熱性能和大尺寸封裝確保了其能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
  5. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)�(jiān)固耐用,可承受高瞬�(tài)電流沖擊�
  這些特點(diǎn)使得該器件在工業(yè)�(shè)�、汽�(chē)電子和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中得到了廣泛應(yīng)用�

�(yīng)�

GA0805H393MXABR31G 的典型應(yīng)用包括:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開(kāi)�(guān)或同步整流元��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān),用于提升轉(zhuǎn)換效��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件,支持高效控��
  4. 各類(lèi)�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路,如�(guò)流保�(hù)、短路保�(hù)��
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控制元件�
  這款 MOSFET 在需要高效率和高可靠性的地方表現(xiàn)出色,適用于從家用電器到工業(yè)�(shè)備的各種�(chǎng)��

替代型號(hào)

GA0805H393MAE, GA0805H393MTR, IRF3205, FDP056N04L

ga0805h393mxabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.039 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-