GA0805H393MXABR31G 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的MOSFET功率晶體�。該型號(hào)采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,適合用于各種高效能電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。此器件屬于U-MOS VIII-H系列,專為降低功耗和提高系統(tǒng)效率而設(shè)�(jì)�
該型�(hào)采用TO-263-3(D2PAK)封裝形式,具有較大的散熱面�,能夠滿足高功率�(yīng)用場(chǎng)景下的熱管理需求�
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�37A
�(dǎo)通電阻:1.6mΩ
柵極電荷�45nC
輸入電容�1080pF
工作溫度范圍�-55� to 175�
GA0805H393MXABR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了在高電流負(fù)載下也能保持較低的功耗�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能使其非常適合高頻�(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)��
3. �(yōu)化的熱性能和大尺寸封裝確保了其能夠在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
5. �(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)�(jiān)固耐用,可承受高瞬�(tài)電流沖擊�
這些特點(diǎn)使得該器件在工業(yè)�(shè)�、汽�(chē)電子和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中得到了廣泛應(yīng)用�
GA0805H393MXABR31G 的典型應(yīng)用包括:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開(kāi)�(guān)或同步整流元��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān),用于提升轉(zhuǎn)換效��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件,支持高效控��
4. 各類(lèi)�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路,如�(guò)流保�(hù)、短路保�(hù)��
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控制元件�
這款 MOSFET 在需要高效率和高可靠性的地方表現(xiàn)出色,適用于從家用電器到工業(yè)�(shè)備的各種�(chǎng)��
GA0805H393MAE, GA0805H393MTR, IRF3205, FDP056N04L