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GA0805H561KBABR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/28 9:39:56 查看 閱讀:13

GA0805H561KBABR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率并降低功耗。
  該芯片主要應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),適合自動(dòng)化貼片生產(chǎn),廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制和通信設(shè)備等領(lǐng)域。

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓Vds:60V
  最大柵源電壓Vgs:±20V
  持續(xù)漏極電流Id:56A
  導(dǎo)通電阻Rds(on):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  柵極電荷Qg:45nC
  總電容Ciss:2700pF
  工作溫度范圍Tj:-55℃至+175℃

特性

GA0805H561KBABR31G具備以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),能夠有效減少導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān)性能,支持高頻應(yīng)用,有助于減小外圍元件尺寸。
  3. 高雪崩能量耐受能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性。
  4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
  5. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下保持性能一致性。
  6. 封裝緊湊,易于集成到各種電路設(shè)計(jì)中。

應(yīng)用

該芯片適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),包括AC-DC適配器和充電器。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,如降壓、升壓和反激式變換器。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能系統(tǒng)。
  5. 電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的電源模塊。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中的負(fù)載切換。

替代型號(hào)

IRF540N
  FDP5570
  STP55NF06L

ga0805h561kbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容560 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-