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GA0805H562JBXBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 10:17:22 查看 閱讀�14

GA0805H562JBXBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,能夠在高頻條件下實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
  這款器件通常被用于需要高效率和高可靠性的�(chǎng)景中,其封裝形式和電氣特性使得它成為眾多工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域中的理想選��

參數(shù)

型號(hào):GA0805H562JBXBT31G
  類型:N-Channel Power MOSFET
  額定電壓�50V
  額定電流�80A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
  柵極電荷�35nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA0805H562JBXBT31G 具有以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速開�(guān)性能,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效電源設(shè)�(jì)�
  4. 極低的柵極電荷(Qg�,有助于降低�(qū)�(dòng)損耗�
  5. 高可靠�,可在極端溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  這些特性共同確保了 GA0805H562JBXBT31G 在多種功率轉(zhuǎn)換和控制�(yīng)用中的卓越表�(xiàn)�

�(yīng)�

GA0805H562JBXBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  4. 工業(yè)逆變�
  5. 太陽能微逆變�
  6. 電動(dòng)車充電設(shè)�
  7. LED �(qū)�(dòng)電路
  由于其強(qiáng)大的性能和穩(wěn)定性,該器件在需要高功率密度和高效率的場(chǎng)景中尤為適用�

替代型號(hào)

GA0805H562JBXBT31K, IRF840, FDP5800

ga0805h562jbxbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-