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時(shí)間：2025/6/5 10:17:22
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GA0805H562JBXBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該芯片采用了先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力，能夠在高頻條件下實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
這款器件通常被用于需要高效率和高可靠性的場(chǎng)景中，其封裝形式和電氣特性使得它成為眾多工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域中的理想選擇。
型號(hào)：GA0805H562JBXBT31G
類型：N-Channel Power MOSFET
額定電壓：50V
額定電流：80A
導(dǎo)通電阻（典型值）：2.5mΩ
柵極電荷：35nC
開關(guān)速度：快速
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247
GA0805H562JBXBT31G 具有以下顯著特性：
1. 低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠減少傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流能力，適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 快速開關(guān)性能，支持高頻操作，適合現(xiàn)代高效電源設(shè)計(jì)。
4. 極低的柵極電荷（Qg），有助于降低驅(qū)動(dòng)損耗。
5. 高可靠性，可在極端溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
這些特性共同確保了 GA0805H562JBXBT31G 在多種功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)。
GA0805H562JBXBT31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
4. 工業(yè)逆變器
5. 太陽能微逆變器
6. 電動(dòng)車充電設(shè)備
7. LED 驅(qū)動(dòng)電路
由于其強(qiáng)大的性能和穩(wěn)定性，該器件在需要高功率密度和高效率的場(chǎng)景中尤為適用。
GA0805H562JBXBT31K, IRF840, FDP5800
