GA0805H562JBXBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,能夠在高頻條件下實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
這款器件通常被用于需要高效率和高可靠性的�(chǎng)景中,其封裝形式和電氣特性使得它成為眾多工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域中的理想選��
型號(hào):GA0805H562JBXBT31G
類型:N-Channel Power MOSFET
額定電壓�50V
額定電流�80A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極電荷�35nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA0805H562JBXBT31G 具有以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
3. 快速開�(guān)性能,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效電源設(shè)�(jì)�
4. 極低的柵極電荷(Qg�,有助于降低�(qū)�(dòng)損耗�
5. 高可靠�,可在極端溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這些特性共同確保了 GA0805H562JBXBT31G 在多種功率轉(zhuǎn)換和控制�(yīng)用中的卓越表�(xiàn)�
GA0805H562JBXBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
4. 工業(yè)逆變�
5. 太陽能微逆變�
6. 電動(dòng)車充電設(shè)�
7. LED �(qū)�(dòng)電路
由于其強(qiáng)大的性能和穩(wěn)定性,該器件在需要高功率密度和高效率的場(chǎng)景中尤為適用�
GA0805H562JBXBT31K, IRF840, FDP5800