GA0805H562KBBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高頻開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型封裝類�,非常適合對(duì)空間有嚴(yán)格要求的�(shè)�(jì)�(chǎng)景�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�5.6A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.7mΩ
柵極電荷�19nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間(�(kāi)�/�(guān)閉)�14ns/9ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0805H562KBBBR31G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻使得在高電流應(yīng)用中能夠大幅減少傳導(dǎo)損��
2. 快速的�(kāi)�(guān)性能支持高頻操作,適合現(xiàn)代高效能電力電子�(shè)��
3. 高度可靠的封裝設(shè)�(jì)確保其能夠在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行�
4. 提供了良好的熱性能,有助于散熱管理,提升整體系�(tǒng)的可靠��
5. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)多種工業(yè)及汽車級(jí)�(yīng)用場(chǎng)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或輔助開(kāi)�(guān)元件�
3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制組件�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)�
5. 便攜式電子設(shè)備中的電池管理單��
AO3400A
IRLZ44N
FDMQ8207