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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805H562KBBBR31G

GA0805H562KBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 16:59:38 查看 閱讀�24

GA0805H562KBBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高頻開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型封裝類�,非常適合對(duì)空間有嚴(yán)格要求的�(shè)�(jì)�(chǎng)景�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�5.6A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.7mΩ
  柵極電荷�19nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間(�(kāi)�/�(guān)閉)�14ns/9ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA0805H562KBBBR31G 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻使得在高電流應(yīng)用中能夠大幅減少傳導(dǎo)損��
  2. 快速的�(kāi)�(guān)性能支持高頻操作,適合現(xiàn)代高效能電力電子�(shè)��
  3. 高度可靠的封裝設(shè)�(jì)確保其能夠在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行�
  4. 提供了良好的熱性能,有助于散熱管理,提升整體系�(tǒng)的可靠��
  5. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)多種工業(yè)及汽車級(jí)�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或輔助開(kāi)�(guān)元件�
  3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制組件�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)�
  5. 便攜式電子設(shè)備中的電池管理單��

替代型號(hào)

AO3400A
  IRLZ44N
  FDMQ8207

ga0805h562kbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-