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時(shí)間：2025/5/10 16:59:38
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GA0805H562KBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件，其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的小型封裝類型，非常適合對(duì)空間有嚴(yán)格要求的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：5.6A
導(dǎo)通電阻（典型值）：2.7mΩ
柵極電荷：19nC
開(kāi)關(guān)時(shí)間（開(kāi)啟/關(guān)閉）：14ns/9ns
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
GA0805H562KBBBR31G 具備以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻使得在高電流應(yīng)用中能夠大幅減少傳導(dǎo)損耗。
2. 快速的開(kāi)關(guān)性能支持高頻操作，適合現(xiàn)代高效能電力電子設(shè)備。
3. 高度可靠的封裝設(shè)計(jì)確保其能夠在惡劣環(huán)境下長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 提供了良好的熱性能，有助于散熱管理，提升整體系統(tǒng)的可靠性。
5. 工作溫度范圍寬廣，適應(yīng)多種工業(yè)及汽車級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)或輔助開(kāi)關(guān)元件。
3. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制組件。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換與保護(hù)。
5. 便攜式電子設(shè)備中的電池管理單元。
AO3400A
IRLZ44N
FDMQ8207
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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