GA0805H562MBXBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應用于高效率電源轉(zhuǎn)換和開關電路。該芯片采用先進的溝槽式結構設計,具有較低的導通電阻和�(yōu)異的開關性能。它適用于各種工�(yè)、消費電子和汽車電子領域,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效��
該器件支持高頻工作模�,適合用作同步整流器、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開關等場景中的核心元件�
類型:N溝道 MOSFET
額定電壓�60V
額定電流�140A
導通電阻(Rds(on)):1.3mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
柵極電荷�17nC(最大值)
輸入電容�2950pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA0805H562MBXBR31G 的主要特點是其超低的導通電阻和高效的開關能�。這種特性使其在大電流應用中表現(xiàn)尤為突出,同時具備以下優(yōu)勢:
1. 極低� Rds(on),減少導通損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開關性能,可適應高頻 PWM 控制需求�
3. 強大的雪崩能量耐受能力,確保在異常條件下也能穩(wěn)定運行�
4. �(nèi)置靜電防護功�,提高了�(chǎn)品的可靠��
5. 支持高溫操作�(huán)�,滿足苛刻工況下的使用要求�
此外,其較大的電流承載能力和緊湊的封裝形式也使得該器件成為許多高功率密度設計的理想選擇�
該型號廣泛用于需要高效能功率管理的場�,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動車輛及混合動力汽車的逆變器模��
3. 工業(yè)自動化設備中的電機驅(qū)動電路�
4. 太陽能微逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
5. 高端音頻放大器的功率輸出��
6. 電信基站電源以及服務器冗余供電單元�
GA0805H562MBXBR32G
IRFP2907
FDP16N60E