GA0805H563JXXBT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,主要用于開關和功率轉(zhuǎn)換應�。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于工業(yè)、消費電子以及汽車領域中的各種電路設��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強�,支持快速開關操作,并能夠承受較高的電壓和電流負�。其封裝形式� TO-263(D2PAK),具備出色的散熱性能�
型號:GA0805H563JXXBT31G
類型:N溝道 MOSFET
Vds(漏源極耐壓):60V
Rds(on)(導通電�,典型值)�4.5mΩ
Id(持�(xù)漏極電流):80A
Vgs(th)(柵極開啟電壓)�2.5V~4.5V
Qg(總柵極電荷):75nC
EAS(雪崩能量)�1.2J
封裝:TO-263 (D2PAK)
GA0805H563JXXBT31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流和電壓能力,適合在嚴苛條件下工��
3. 快速開關速度,有助于減少開關損耗并支持高頻應用�
4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定性能�
5. 支持多種保護功能,例如過流保護和短路保護,從而增強可靠性�
6. 封裝采用標準 TO-263,便于集成到�(xiàn)� PCB 設計��
GA0805H563JXXBT31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動和逆變器電��
3. 工業(yè)控制設備和自動化系統(tǒng)�
4. 汽車電子中的負載切換和電池管��
5. 高效 LED �(qū)動器和太陽能逆變��
6. 任何需要大電流、高效率開關的應用場景�
IRFZ44N, FDP55N06L, STP80NF06