時間：2025/5/15 17:32:26
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GA0805H563JXXBT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管，主要用于開關和功率轉(zhuǎn)換應用。該器件采用了先進的制造工藝，具有低導通電阻和高效率的特點，適用于工業(yè)、消費電子以及汽車領域中的各種電路設計。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型，支持快速開關操作，并能夠承受較高的電壓和電流負載。其封裝形式為 TO-263（D2PAK），具備出色的散熱性能。
型號：GA0805H563JXXBT31G
類型：N溝道 MOSFET
Vds（漏源極耐壓）：60V
Rds(on)（導通電阻，典型值）：4.5mΩ
Id（持續(xù)漏極電流）：80A
Vgs(th)（柵極開啟電壓）：2.5V~4.5V
Qg（總柵極電荷）：75nC
EAS（雪崩能量）：1.2J
封裝：TO-263 (D2PAK)
GA0805H563JXXBT31G 具有以下主要特性：
1. 極低的導通電阻，能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高額定電流和電壓能力，適合在嚴苛條件下工作。
3. 快速開關速度，有助于減少開關損耗并支持高頻應用。
4. 良好的熱穩(wěn)定性，能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定性能。
5. 支持多種保護功能，例如過流保護和短路保護，從而增強可靠性。
6. 封裝采用標準 TO-263，便于集成到現(xiàn)有 PCB 設計中。
GA0805H563JXXBT31G 廣泛應用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電機驅(qū)動和逆變器電路。
3. 工業(yè)控制設備和自動化系統(tǒng)。
4. 汽車電子中的負載切換和電池管理。
5. 高效 LED 驅(qū)動器和太陽能逆變器。
6. 任何需要大電流、高效率開關的應用場景。
IRFZ44N, FDP55N06L, STP80NF06
