GA0805H563MBABR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�,適用于多種電源管理�(yīng)用場�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特�(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
該型號屬于溝道增�(qiáng)型MOSFET,其主要特點(diǎn)是通過�(yōu)化內(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)計來降低功耗并提高整體性能。憑借其卓越的電氣特性和�(wěn)定�,它在工�(yè)控制、通信�(shè)備以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中得到廣泛�(yīng)��
型號:GA0805H563MBABR31G
類型:N-Channel MOSFET
額定電壓(Vds)�50V
額定電流(Id)�80A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.2mΩ
柵極電荷(Qg)�49nC
輸入電容(Ciss)�3100pF
最大工作溫度范圍:-55� to +175�
封裝形式:TO-247
GA0805H563MBABR31G具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.2mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,使得該器件非常適合高頻開關(guān)�(yīng)用,如DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變��
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
4. 緊湊的封裝設(shè)計(TO-247)不僅節(jié)省了PCB空間,還改善了散熱性能�
5. 支持寬廣的工作溫度范圍(-55°C�+175°C�,確保在極端�(huán)境中的穩(wěn)定運(yùn)��
6. �(yōu)異的抗靜電能力(ESD防護(hù)等級�,提高了�(chǎn)品的可靠性和耐用性�
GA0805H563MBABR31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)��
2. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級組件�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器及降�/升壓模塊的核心元��
4. 太陽能逆變器以及其他可再生能源系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換部��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)功能�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開�(guān)或保�(hù)電路�
GA0805H563MBABR21G, IRF840, STP80NF50