時間：2025/5/22 21:57:21
閱讀：17
GA0805H563MXXBR31G 是一款由東芝（Toshiba）推出的高壓 MOSFET 芯片，采用 TO-263-7 封裝形式。該芯片主要用于高電壓、高效率的電源管理應(yīng)用，例如開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及工業(yè)控制等領(lǐng)域。
此器件內(nèi)部集成了 N 溝道 MOSFET 和保護(hù)電路，能夠在高電壓條件下提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn)，并具備過熱保護(hù)和過流保護(hù)功能，從而提升系統(tǒng)的可靠性和安全性。
型號：GA0805H563MXXBR31G
制造商：Toshiba
封裝：TO-263-7
類型：N 溝道增強型 MOSFET
漏源極耐壓 (Vds)：800V
連續(xù)漏極電流 (Id)：5.6A
柵極閾值電壓 (Vgs(th))：4V 至 6V
導(dǎo)通電阻 (Rds(on))：最大 1.9Ω（在 Vgs = 10V 時）
總功耗：25W
工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C
存儲溫度范圍：-55°C 至 +150°C
GA0805H563MXXBR31G 具有以下主要特性：
1. 高耐壓能力：支持高達(dá) 800V 的漏源極電壓，適用于高電壓環(huán)境下的電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動場景。
2. 低導(dǎo)通電阻：其導(dǎo)通電阻僅為 1.9Ω，能夠顯著降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
3. 內(nèi)置保護(hù)功能：集成過熱保護(hù)和過流保護(hù)電路，增強了芯片的耐用性和可靠性。
4. 穩(wěn)定性強：即使在極端溫度環(huán)境下，也能保持良好的電氣性能。
5. 小型化設(shè)計：采用 TO-263-7 封裝，節(jié)省 PCB 空間，適合緊湊型設(shè)計需求。
6. 快速開關(guān)能力：具備較低的輸入電容和輸出電容，有助于實現(xiàn)快速開關(guān)操作，減少開關(guān)損耗。
GA0805H563MXXBR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS)：用于高效能的 AC/DC 或 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中。
2. 工業(yè)設(shè)備：如變頻器、伺服驅(qū)動器和其他需要高壓控制的應(yīng)用。
3. 家用電器：如空調(diào)、洗衣機等家電產(chǎn)品的電機驅(qū)動模塊。
4. LED 照明：為大功率 LED 提供高效的驅(qū)動方案。
5. 通信設(shè)備：如基站電源和其他電信基礎(chǔ)設(shè)施中的電源管理系統(tǒng)。
6. 電動汽車：適用于電動車充電器和相關(guān)高壓電源管理系統(tǒng)。
GA0805H563MXB1R31G
