GA0805H563MXXBR31G 是一款由東芝(Toshiba)推出的高壓 MOSFET 芯片,采用 TO-263-7 封裝形式。該芯片主要用于高電壓、高效率的電源管理應(yīng)用,例如開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及工業(yè)控制等領(lǐng)域。
此器件內(nèi)部集成了 N 溝道 MOSFET 和保護(hù)電路,能夠在高電壓條件下提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn),并具備過熱保護(hù)和過流保護(hù)功能,從而提升系統(tǒng)的可靠性和安全性。
型號:GA0805H563MXXBR31G
制造商:Toshiba
封裝:TO-263-7
類型:N 溝道增強型 MOSFET
漏源極耐壓 (Vds):800V
連續(xù)漏極電流 (Id):5.6A
柵極閾值電壓 (Vgs(th)):4V 至 6V
導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):最大 1.9Ω(在 Vgs = 10V 時)
總功耗:25W
工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
存儲溫度范圍:-55°C 至 +150°C
GA0805H563MXXBR31G 具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力:支持高達(dá) 800V 的漏源極電壓,適用于高電壓環(huán)境下的電源轉(zhuǎn)換和電機驅(qū)動場景。
2. 低導(dǎo)通電阻:其導(dǎo)通電阻僅為 1.9Ω,能夠顯著降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。
3. 內(nèi)置保護(hù)功能:集成過熱保護(hù)和過流保護(hù)電路,增強了芯片的耐用性和可靠性。
4. 穩(wěn)定性強:即使在極端溫度環(huán)境下,也能保持良好的電氣性能。
5. 小型化設(shè)計:采用 TO-263-7 封裝,節(jié)省 PCB 空間,適合緊湊型設(shè)計需求。
6. 快速開關(guān)能力:具備較低的輸入電容和輸出電容,有助于實現(xiàn)快速開關(guān)操作,減少開關(guān)損耗。
GA0805H563MXXBR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS):用于高效能的 AC/DC 或 DC/DC 轉(zhuǎn)換器中。
2. 工業(yè)設(shè)備:如變頻器、伺服驅(qū)動器和其他需要高壓控制的應(yīng)用。
3. 家用電器:如空調(diào)、洗衣機等家電產(chǎn)品的電機驅(qū)動模塊。
4. LED 照明:為大功率 LED 提供高效的驅(qū)動方案。
5. 通信設(shè)備:如基站電源和其他電信基礎(chǔ)設(shè)施中的電源管理系統(tǒng)。
6. 電動汽車:適用于電動車充電器和相關(guān)高壓電源管理系統(tǒng)。
GA0805H563MXB1R31G