GA0805H821JBXBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠有效降低系統(tǒng)功耗并提升效率。
該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,在保證可靠性的同時(shí)優(yōu)化了電氣性能。其封裝形式為TO-252(DPAK),適合表面貼裝技術(shù)(SMT)生產(chǎn)流程。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:5.6A
導(dǎo)通電阻:15mΩ
柵極電荷:14nC
開關(guān)時(shí)間:ton=17ns, toff=12ns
工作溫度范圍:-55℃至175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
2. 高速開關(guān)能力,可支持高頻應(yīng)用,降低電磁干擾(EMI)。
3. 強(qiáng)化的熱設(shè)計(jì),確保在高功率條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 具備出色的雪崩能力和魯棒性,增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性和耐用性。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
6. 封裝緊湊,便于集成到各種電子設(shè)備中。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
4. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
5. 各類工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。
IRF540N
STP55NF06L
FDP5560
AON6902