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GA0805H821JXBBC31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/21 13:49:46 查看 閱讀:19

GA0805H821JXBBC31G 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝制造的高性能射頻放大器芯片。該芯片主要用于無(wú)線通信、雷達(dá)系統(tǒng)和衛(wèi)星通信等高頻應(yīng)用場(chǎng)景,具有高增益、低噪聲和寬帶寬的特點(diǎn)。其設(shè)計(jì)適合在苛刻的工作環(huán)境下提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

型號(hào):GA0805H821JXBBC31G
  工藝類型:砷化鎵(GaAs)MMIC
  工作頻率范圍:5-8GHz
  增益:21dB
  輸出功率(1dB壓縮點(diǎn)):+27dBm
  飽和輸出功率:+30dBm
  噪聲系數(shù):4.5dB
  電源電壓:+5V
  靜態(tài)電流:200mA
  封裝形式:塑封QFN-16
  工作溫度范圍:-40℃至+85℃

特性

GA0805H821JXBBC31G 是一款專為射頻信號(hào)放大設(shè)計(jì)的砷化鎵單片微波集成電路(MMIC)。
  該芯片具備高線性度和優(yōu)異的增益穩(wěn)定性,在寬頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出色。
  由于采用了先進(jìn)的GaAs工藝,其功耗較低,同時(shí)能夠承受較高的輸入功率而不失真。
  此外,該芯片內(nèi)置了匹配網(wǎng)絡(luò)和偏置電路,從而簡(jiǎn)化了外部設(shè)計(jì)并提升了整體可靠性。
  其緊湊型封裝使其非常適合對(duì)空間有嚴(yán)格要求的應(yīng)用場(chǎng)景,例如便攜式通信設(shè)備或小型化雷達(dá)系統(tǒng)。

應(yīng)用

GA0805H821JXBBC31G 的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 無(wú)線通信基站中的射頻前端模塊
  2. 衛(wèi)星通信系統(tǒng)中的上行鏈路放大器
  3. 雷達(dá)收發(fā)機(jī)中的中功率驅(qū)動(dòng)級(jí)
  4. 測(cè)試測(cè)量設(shè)備中的信號(hào)源放大
  5. 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波鏈路系統(tǒng)
  該芯片特別適用于需要高增益和低噪聲的高頻段應(yīng)用,確保信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量和效率。

替代型號(hào)

GA0805H821JXBBC21G
  GA0805H821JXBBA21G

ga0805h821jxbbc31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-