GA0805H821JXBBC31G 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝制造的高性能射頻放大器芯�。該芯片主要用于�(wú)線通信、雷�(dá)系統(tǒng)和衛(wèi)星通信等高頻應(yīng)用場(chǎng)景,具有高增�、低噪聲和寬帶寬的特�(diǎn)。其�(shè)�(jì)適合在苛刻的工作�(huán)境下提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
型號(hào):GA0805H821JXBBC31G
工藝類型:砷化鎵(GaAs)MMIC
工作頻率范圍�5-8GHz
增益�21dB
輸出功率�1dB壓縮�(diǎn)):+27dBm
飽和輸出功率�+30dBm
噪聲系數(shù)�4.5dB
電源電壓�+5V
靜態(tài)電流�200mA
封裝形式:塑封QFN-16
工作溫度范圍�-40℃至+85�
GA0805H821JXBBC31G 是一款專為射頻信�(hào)放大�(shè)�(jì)的砷化鎵單片微波集成電路(MMIC��
該芯片具備高線性度和優(yōu)異的增益�(wěn)定�,在寬頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出色�
由于采用了先�(jìn)的GaAs工藝,其功耗較�,同�(shí)能夠承受較高的輸入功率而不失真�
此外,該芯片�(nèi)置了匹配�(wǎng)�(luò)和偏置電�,從而簡(jiǎn)化了外部�(shè)�(jì)并提升了整體可靠性�
其緊湊型封裝使其非常適合�(duì)空間有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場(chǎng)�,例如便攜式通信�(shè)備或小型化雷�(dá)系統(tǒng)�
GA0805H821JXBBC31G 的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. �(wú)線通信基站中的射頻前端模塊
2. �(wèi)星通信系統(tǒng)中的上行鏈路放大�
3. 雷達(dá)收發(fā)�(jī)中的中功率驅(qū)�(dòng)�(jí)
4. �(cè)試測(cè)量設(shè)備中的信�(hào)源放�
5. �(diǎn)�(duì)�(diǎn)微波鏈路系統(tǒng)
該芯片特別適用于需要高增益和低噪聲的高頻段�(yīng)�,確保信�(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量和效率�
GA0805H821JXBBC21G
GA0805H821JXBBA21G