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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805H821JXBBC31G

GA0805H821JXBBC31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 13:49:46 查看 閱讀�19

GA0805H821JXBBC31G 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝制造的高性能射頻放大器芯�。該芯片主要用于�(wú)線通信、雷�(dá)系統(tǒng)和衛(wèi)星通信等高頻應(yīng)用場(chǎng)景,具有高增�、低噪聲和寬帶寬的特�(diǎn)。其�(shè)�(jì)適合在苛刻的工作�(huán)境下提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

型號(hào):GA0805H821JXBBC31G
  工藝類型:砷化鎵(GaAs)MMIC
  工作頻率范圍�5-8GHz
  增益�21dB
  輸出功率�1dB壓縮�(diǎn)):+27dBm
  飽和輸出功率�+30dBm
  噪聲系數(shù)�4.5dB
  電源電壓�+5V
  靜態(tài)電流�200mA
  封裝形式:塑封QFN-16
  工作溫度范圍�-40℃至+85�

特�

GA0805H821JXBBC31G 是一款專為射頻信�(hào)放大�(shè)�(jì)的砷化鎵單片微波集成電路(MMIC��
  該芯片具備高線性度和優(yōu)異的增益�(wěn)定�,在寬頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出色�
  由于采用了先�(jìn)的GaAs工藝,其功耗較�,同�(shí)能夠承受較高的輸入功率而不失真�
  此外,該芯片�(nèi)置了匹配�(wǎng)�(luò)和偏置電�,從而簡(jiǎn)化了外部�(shè)�(jì)并提升了整體可靠性�
  其緊湊型封裝使其非常適合�(duì)空間有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場(chǎng)�,例如便攜式通信�(shè)備或小型化雷�(dá)系統(tǒng)�

�(yīng)�

GA0805H821JXBBC31G 的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. �(wú)線通信基站中的射頻前端模塊
  2. �(wèi)星通信系統(tǒng)中的上行鏈路放大�
  3. 雷達(dá)收發(fā)�(jī)中的中功率驅(qū)�(dòng)�(jí)
  4. �(cè)試測(cè)量設(shè)備中的信�(hào)源放�
  5. �(diǎn)�(duì)�(diǎn)微波鏈路系統(tǒng)
  該芯片特別適用于需要高增益和低噪聲的高頻段�(yīng)�,確保信�(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量和效率�

替代型號(hào)

GA0805H821JXBBC21G
  GA0805H821JXBBA21G

ga0805h821jxbbc31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-