型號(hào)：GA0805H821JXBBC31G
　　工藝類型：砷化鎵（GaAs）MMIC
　　工作頻率范圍：5-8GHz
　　增益：21dB
　　輸出功率（1dB壓縮點(diǎn)）：+27dBm
　　飽和輸出功率：+30dBm
　　噪聲系數(shù)：4.5dB
　　電源電壓：+5V
　　靜態(tài)電流：200mA
　　封裝形式：塑封QFN-16
　　工作溫度范圍：-40℃至+85℃

GA0805H821JXBBC31G 是一款專為射頻信號(hào)放大設(shè)計(jì)的砷化鎵單片微波集成電路（MMIC）。
　　該芯片具備高線性度和優(yōu)異的增益穩(wěn)定性，在寬頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出色。
　　由于采用了先進(jìn)的GaAs工藝，其功耗較低，同時(shí)能夠承受較高的輸入功率而不失真。
　　此外，該芯片內(nèi)置了匹配網(wǎng)絡(luò)和偏置電路，從而簡(jiǎn)化了外部設(shè)計(jì)并提升了整體可靠性。
　　其緊湊型封裝使其非常適合對(duì)空間有嚴(yán)格要求的應(yīng)用場(chǎng)景，例如便攜式通信設(shè)備或小型化雷達(dá)系統(tǒng)。

GA0805H821JXBBC31G 的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：
　　1. 無(wú)線通信基站中的射頻前端模塊
　　2. 衛(wèi)星通信系統(tǒng)中的上行鏈路放大器
　　3. 雷達(dá)收發(fā)機(jī)中的中功率驅(qū)動(dòng)級(jí)
　　4. 測(cè)試測(cè)量設(shè)備中的信號(hào)源放大
　　5. 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波鏈路系統(tǒng)
　　該芯片特別適用于需要高增益和低噪聲的高頻段應(yīng)用，確保信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量和效率。

GA0805H821JXBBC21G
　　GA0805H821JXBBA21G