GA0805H821JXBBC31G 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝制造的高性能射頻放大器芯片。該芯片主要用于無(wú)線通信、雷達(dá)系統(tǒng)和衛(wèi)星通信等高頻應(yīng)用場(chǎng)景,具有高增益、低噪聲和寬帶寬的特點(diǎn)。其設(shè)計(jì)適合在苛刻的工作環(huán)境下提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
型號(hào):GA0805H821JXBBC31G
工藝類型:砷化鎵(GaAs)MMIC
工作頻率范圍:5-8GHz
增益:21dB
輸出功率(1dB壓縮點(diǎn)):+27dBm
飽和輸出功率:+30dBm
噪聲系數(shù):4.5dB
電源電壓:+5V
靜態(tài)電流:200mA
封裝形式:塑封QFN-16
工作溫度范圍:-40℃至+85℃
GA0805H821JXBBC31G 是一款專為射頻信號(hào)放大設(shè)計(jì)的砷化鎵單片微波集成電路(MMIC)。
該芯片具備高線性度和優(yōu)異的增益穩(wěn)定性,在寬頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出色。
由于采用了先進(jìn)的GaAs工藝,其功耗較低,同時(shí)能夠承受較高的輸入功率而不失真。
此外,該芯片內(nèi)置了匹配網(wǎng)絡(luò)和偏置電路,從而簡(jiǎn)化了外部設(shè)計(jì)并提升了整體可靠性。
其緊湊型封裝使其非常適合對(duì)空間有嚴(yán)格要求的應(yīng)用場(chǎng)景,例如便攜式通信設(shè)備或小型化雷達(dá)系統(tǒng)。
GA0805H821JXBBC31G 的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 無(wú)線通信基站中的射頻前端模塊
2. 衛(wèi)星通信系統(tǒng)中的上行鏈路放大器
3. 雷達(dá)收發(fā)機(jī)中的中功率驅(qū)動(dòng)級(jí)
4. 測(cè)試測(cè)量設(shè)備中的信號(hào)源放大
5. 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)微波鏈路系統(tǒng)
該芯片特別適用于需要高增益和低噪聲的高頻段應(yīng)用,確保信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量和效率。
GA0805H821JXBBC21G
GA0805H821JXBBA21G