GA0805H823JBXBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高效率并減少能量損��
其封裝形式為 TO-252 (DPAK),具備良好的散熱性能,適合在高功率密度的�(yīng)用場(chǎng)景中使用�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�80V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�5.6A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�40mΩ
總功�(Ptot)�1.5W
工作溫度范圍(Ta)�-55� to +175�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
GA0805H823JBXBR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,僅� 40mΩ,可有效降低�(dǎo)通損��
2. 快速開�(guān)性能,支持高頻操�,適用于開關(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 高雪崩擊穿能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,并提供�(yōu)秀的熱管理能力�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的�(yán)格要��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS) 中的�(fù)載開�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制元件�
4. LED �(qū)�(dòng)器和背光解決方案中的開關(guān)元件�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與功率傳輸組��
IRF540N
FQP50N06L
AO3400