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時(shí)間：2025/5/15 17:36:22
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GA0805H823MBXBT31G 是一款由東芝（Toshiba）生產(chǎn)的功率半導(dǎo)體器件，屬于 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）系列。該芯片廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電路等領(lǐng)域。其主要特點(diǎn)是高效率、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備。
該型號(hào)采用 TO-263 封裝形式，能夠承受較高的電壓和電流，同時(shí)具備良好的熱性能和可靠性。
類型：MOSFET
封裝：TO-263
最大漏源電壓(Vdss)：80V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
最大漏極電流(Id)：50A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：4.5mΩ
總功耗(Ptot)：170W
工作溫度范圍(Ta)：-55°C 至 +175°C
結(jié)溫(Tj)：-55°C 至 +175°C
GA0805H823MBXBT31G 具有以下顯著特點(diǎn)：
1. 低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力，適合大功率應(yīng)用場(chǎng)合。
3. 快速開關(guān)速度，減少了開關(guān)損耗，提升了動(dòng)態(tài)性能。
4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能。
5. 集成保護(hù)功能（部分版本），如過流保護(hù)和短路保護(hù)，增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性。
6. 寬廣的工作溫度范圍，適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境。
這款 MOSFET 芯片可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (Switching Power Supply)，如 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng) (Motor Drive)，包括無刷直流電機(jī) (BLDC) 控制。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
4. 汽車電子系統(tǒng)，例如電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS)。
5. 大功率 LED 驅(qū)動(dòng)電路。
6. 通信設(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)換單元。
IRFZ44N, FDP55N06L, STP55NF06L
