GA0805Y122JXCBC31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高頻、高效率電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。該型號屬于 GaN Systems 的產(chǎn)品系列,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能,適用于服務(wù)器電源、電信設(shè)備、太陽能逆變器以及電動汽車充電系統(tǒng)等場景。
其核心優(yōu)勢在于利用了氮化鎵材料的寬帶隙特性,能夠顯著降低開關(guān)損耗并提高工作頻率,從而縮小整體系統(tǒng)的尺寸和重量。
類型:增強型場效應(yīng)晶體管 (e-mode MOSFET)
耐壓:650 V
導(dǎo)通電阻:120 mΩ
最大電流:15 A
柵極電荷:7 nC
反向恢復(fù)電荷:0 nC
工作溫度范圍:-40°C 至 +125°C
封裝形式:8x8 mm LLP
GA0805Y122JXCBC31G 具備卓越的電氣性能和可靠性,主要特性如下:
1. 高效開關(guān)能力:得益于低導(dǎo)通電阻和小柵極電荷,該器件能夠在高頻下實現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換。
2. 快速開關(guān)速度:由于 GaN 材料的獨特屬性,該器件幾乎沒有反向恢復(fù)損耗,從而進一步提升效率。
3. 熱穩(wěn)定性強:即使在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的性能輸出。
4. 小型化設(shè)計:采用緊湊的 8x8 mm LLP 封裝,便于集成到空間受限的應(yīng)用中。
5. 高可靠性:通過了嚴苛的測試流程,確保在各種工況下的穩(wěn)定性和長壽命。
該芯片適用于以下應(yīng)用場景:
1. 服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源模塊。
2. 通信基站及電信設(shè)備中的 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 太陽能微型逆變器與優(yōu)化器。
4. 消費類快充適配器。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高頻開關(guān)電源。
6. 電動車車載充電器(OBC)和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
此外,它還特別適合需要小型化和高效率的設(shè)計項目。
GS66508T, GS61008P