GA0805Y152KXJBC31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,屬� GaN Systems 公司推出的增�(qiáng)� GaN 晶體管系�。該器件采用先�(jìn)的島柵結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合高�、高效能的應(yīng)用場(chǎng)�,例如電源適配器、無線充電器、太陽能逆變器以及數(shù)�(jù)中心電源�。其封裝形式為符合行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝(SMD)封裝,有助于簡(jiǎn)� PCB �(shè)�(jì)和制造流��
最大漏源電壓:650V
�(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極閾值電壓:1.5V � 3V
連續(xù)漏極電流�5A
功耗:17W
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
封裝形式�8x8mm PDFN
GA0805Y152KXJBC31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高效性能:由于采用了氮化鎵材�,這款晶體管在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出卓越的效率,同�(shí)降低了熱損耗�
2. 快速開�(guān)速度:相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,此器件的開�(guān)速度更快,可以顯著降低開�(guān)損��
3. 低導(dǎo)通電阻:僅為 150mΩ 的導(dǎo)通電阻確保了在大電流�(yīng)用場(chǎng)景下的低功耗表�(xiàn)�
4. 增強(qiáng)型設(shè)�(jì):只有當(dāng)柵極電壓超過閾值時(shí)才開�,使用更加安全可靠�
5. 緊湊封裝�8x8mm � PDFN 封裝不僅節(jié)省空�,還提供了出色的散熱性能�
6. 寬工作溫度范圍:支持� -40°C � +125°C 的溫度區(qū)�,適合各種惡劣環(huán)��
該型�(hào)適用于廣泛的電力電子�(lǐng)�,具體應(yīng)用包括:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 無線充電�(shè)�
4. 太陽能微型逆變�
5. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電�
6. 電動(dòng)工具及家電驅(qū)�(dòng)電路
7. 快速充電器�(shè)�(jì)
得益于其高頻率和高效率的特點(diǎn),GA0805Y152KXJBC31G 成為了許多現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換系�(tǒng)中的理想選擇�
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