GA0805Y153JXCBR31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)�、射頻放大器和高速開(kāi)�(guān)電路。該器件采用先�(jìn)� GaN-on-Si 工藝制�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和高擊穿電壓的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的整體性能和效��
相比傳統(tǒng)的硅基功率器�,GA0805Y153JXCBR31G 提供了更�(yōu)的動(dòng)�(tài)特�,適用于高頻�(yīng)用環(huán)�,同�(shí)�(jiǎn)化了熱管理設(shè)�(jì)�
型號(hào):GA0805Y153JXCBR31G
類型:增�(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET)
工作電壓�650V
�(dǎo)通電阻:40mΩ(典型值)
連續(xù)漏極電流�15A
柵極電荷�9nC(典型值)
�(kāi)�(guān)頻率:最高支� MHz �(jí)�
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
1. 高效能量�(zhuǎn)換:得益于低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,可�(shí)�(xiàn)高達(dá)98%以上的系�(tǒng)效率�
2. 小型化設(shè)�(jì):與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,GaN器件可以顯著減小系統(tǒng)尺寸和重��
3. 耐高溫能力:其寬禁帶半導(dǎo)體材料確保了在高溫環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
4. �(qiáng)抗干擾性:�(nèi)置ESD保護(hù)電路增強(qiáng)了器件對(duì)電磁干擾的抵抗能力�
5. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn)邏輯電平輸入,便于與�(shù)字控制芯片集��
6. 高可靠性:通過(guò)�(yán)格的JEDEC�(rèn)證測(cè)�,滿足工�(yè)及汽車級(jí)�(yīng)用需��
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 圖形處理器(GPU)供電模�
4. 電動(dòng)車輛(EV)車載充電器
5. 太陽(yáng)能逆變�
6. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電�
7. 消費(fèi)類快充適配器
8. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)
GA0805Y153JXCBR32G, GA0805Y153KXCBR31G