国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GA0805Y184JBXBR31G

GA0805Y184JBXBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 9:04:48 查看 閱讀�20

GA0805Y184JBXBR31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高性能功率晶體管,專為高頻和高效率�(yīng)用場景設(shè)計。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器以及射頻放大等應(yīng)用領(lǐng)��
  這款 GaN 晶體管通過�(yōu)化柵極驅(qū)動設(shè)計和熱性能,確保在高頻工作條件下的�(wěn)定性和可靠�。此�,它還具備過流保�(hù)和短路保�(hù)功能,從而提高了系統(tǒng)的安全性和耐用��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻:8mΩ
  柵極電荷�70nC
  開關(guān)頻率:超�5MHz
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247-4L

特�

GA0805Y184JBXBR31G 的主要特性包括卓越的高頻性能和低�(dǎo)通損耗,使其成為高效率功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。其快速開�(guān)速度顯著減少了開�(guān)損�,同時低寄生電感的封裝設(shè)計�(jìn)一步提升了整體性能�
  該器件采用了增強(qiáng)型GaN技�(shù),能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的電氣性能。此�,內(nèi)置的保護(hù)功能可以有效防止因過載或短路引起的損壞,延長了產(chǎn)品的使用壽命�
  GaN 器件相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,能夠支持更高的工作頻率和更低的能量損耗,因此非常適合需要高效能和小型化�(shè)計的�(yīng)用場��

�(yīng)�

該型號廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,例如服�(wù)器電�、通信基站電源、電動汽車充電裝置以及工�(yè)電機(jī)�(qū)動系�(tǒng)�
  在消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,它也被用于快充適配器以�(shí)�(xiàn)更小體積和更高效率的充電解決方案。此外,在可再生能源�(lǐng)�,如太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中,GA0805Y184JBXBR31G 同樣�(fā)揮著重要作用,幫助提升能量轉(zhuǎn)換效率并降低系統(tǒng)成本�

替代型號

KJ0805Y190ZAXCR21G
  HA0805W205GBXDR32G
  LA0805P187JBXFR20G

ga0805y184jbxbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.18 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-