GA0805Y184JBXBR31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高性能功率晶體管,專為高頻和高效率�(yīng)用場景設(shè)計。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器以及射頻放大等應(yīng)用領(lǐng)��
這款 GaN 晶體管通過�(yōu)化柵極驅(qū)動設(shè)計和熱性能,確保在高頻工作條件下的�(wěn)定性和可靠�。此�,它還具備過流保�(hù)和短路保�(hù)功能,從而提高了系統(tǒng)的安全性和耐用��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻:8mΩ
柵極電荷�70nC
開關(guān)頻率:超�5MHz
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:TO-247-4L
GA0805Y184JBXBR31G 的主要特性包括卓越的高頻性能和低�(dǎo)通損耗,使其成為高效率功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。其快速開�(guān)速度顯著減少了開�(guān)損�,同時低寄生電感的封裝設(shè)計�(jìn)一步提升了整體性能�
該器件采用了增強(qiáng)型GaN技�(shù),能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的電氣性能。此�,內(nèi)置的保護(hù)功能可以有效防止因過載或短路引起的損壞,延長了產(chǎn)品的使用壽命�
GaN 器件相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,能夠支持更高的工作頻率和更低的能量損耗,因此非常適合需要高效能和小型化�(shè)計的�(yīng)用場��
該型號廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,例如服�(wù)器電�、通信基站電源、電動汽車充電裝置以及工�(yè)電機(jī)�(qū)動系�(tǒng)�
在消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,它也被用于快充適配器以�(shí)�(xiàn)更小體積和更高效率的充電解決方案。此外,在可再生能源�(lǐng)�,如太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中,GA0805Y184JBXBR31G 同樣�(fā)揮著重要作用,幫助提升能量轉(zhuǎn)換效率并降低系統(tǒng)成本�
KJ0805Y190ZAXCR21G
HA0805W205GBXDR32G
LA0805P187JBXFR20G