GA0805Y184MBJBR31G 是一款由 Rohm 生產(chǎn)的高性能、低�(dǎo)通電阻的 N 溝道 MOSFET。該型號(hào)采用小型封裝,適用于需要高效能和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場��
其內(nèi)部結(jié)�(gòu)和材料經(jīng)過優(yōu)�,確保了較低的導(dǎo)通電阻以及良好的開關(guān)性能。同�(shí),該器件具備較高的耐雪崩能力,適合多種電源管理和驅(qū)�(dòng)�(yīng)用�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�6.8A
�(dǎo)通電阻:1.7mΩ
總電荷量�17nC
柵極電荷�12nC
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA0805Y184MBJBR31G 具備非常低的�(dǎo)通電�,這使其在功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中能夠顯著降低功耗并提高效率�
此外,該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠在有限的空間內(nèi)提供更高的性能�
它具有出色的熱穩(wěn)定性和電氣特�,可承受惡劣的工作環(huán)��
MOSFET 的快速開�(guān)能力和低柵極電荷�(jìn)一步減少了開關(guān)損�,非常適合高頻電路設(shè)�(jì)�
同時(shí),它的高雪崩擊穿能量提高了系�(tǒng)在異常情況下的可靠性�
該芯片廣泛應(yīng)用于各種 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、負(fù)載開�(guān)、電池保�(hù)電路以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊�
由于其出色的性能表現(xiàn),GA0805Y184MBJBR31G 也常被用于工�(yè)�(shè)備、汽車電子和通信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率控制部��
IPA60R092P7S6B, IRF7822TRPBF, AO4402