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GA0805Y222KBCBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/16 12:10:00 查看 閱讀：22

GA0805Y222KBCBT31G 是一款基于 GaN（氮化鎵）技術(shù)的高電子遷移率晶體管（HEMT），專(zhuān)為高頻、高效應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的封裝技術(shù)，具備卓越的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻特性，適合于電源管理、無(wú)線充電、D類(lèi)音頻放大器等應(yīng)用領(lǐng)域。
　　該型號(hào)是高度優(yōu)化的功率半導(dǎo)體器件，具有出色的熱性能和可靠性，在高頻率工作條件下能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換，同時(shí)保持較低的損耗。

參數(shù)

最大漏源電壓：650V
　　連續(xù)漏極電流：8A
　　導(dǎo)通電阻：40mΩ
　　柵極電荷：70nC
　　開(kāi)關(guān)速度：高達(dá)1MHz
　　結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
　　封裝形式：TO-247-3

特性

1. 基于 GaN 技術(shù)，具備更低的導(dǎo)通電阻和更高的效率。
　　2. 支持高頻工作模式，適合要求苛刻的電力電子系統(tǒng)。
　　3. 內(nèi)置保護(hù)功能，可防止過(guò)壓及短路損壞。
　　4. 高度集成設(shè)計(jì)，減少了外部元件的需求，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。
　　5. 熱性能優(yōu)異，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　6. 封裝堅(jiān)固耐用，符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，易于焊接和安裝。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）
　　2. 無(wú)線充電模塊
　　3. D類(lèi)音頻放大器
　　4. 太陽(yáng)能逆變器
　　5. 電動(dòng)汽車(chē)充電樁
　　6. 數(shù)據(jù)中心供電單元

替代型號(hào)

GAN0805Y222KBCB, GA0805Y222KBCBT30G

ga0805y222kbcbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝，MLCC
  • 封裝/外殼0805（2012 公制）
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）-
  • 厚度（最大值）0.057"（1.45mm）
  • 引線間距-
  • 引線樣式-