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GA0805Y222KBCBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/16 12:10:00 查看 閱讀:22

GA0805Y222KBCBT31G 是一款基于 GaN(氮化鎵)技術(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專(zhuān)為高頻、高效應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的封裝技術(shù),具備卓越的開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻特性,適合于電源管理、無(wú)線充電、D類(lèi)音頻放大器等應(yīng)用領(lǐng)域。
  該型號(hào)是高度優(yōu)化的功率半導(dǎo)體器件,具有出色的熱性能和可靠性,在高頻率工作條件下能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換,同時(shí)保持較低的損耗。

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流:8A
  導(dǎo)通電阻:40mΩ
  柵極電荷:70nC
  開(kāi)關(guān)速度:高達(dá)1MHz
  結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝形式:TO-247-3

特性

1. 基于 GaN 技術(shù),具備更低的導(dǎo)通電阻和更高的效率。
  2. 支持高頻工作模式,適合要求苛刻的電力電子系統(tǒng)。
  3. 內(nèi)置保護(hù)功能,可防止過(guò)壓及短路損壞。
  4. 高度集成設(shè)計(jì),減少了外部元件的需求,簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。
  5. 熱性能優(yōu)異,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  6. 封裝堅(jiān)固耐用,符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn),易于焊接和安裝。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)
  2. 無(wú)線充電模塊
  3. D類(lèi)音頻放大器
  4. 太陽(yáng)能逆變器
  5. 電動(dòng)汽車(chē)充電樁
  6. 數(shù)據(jù)中心供電單元

替代型號(hào)

GAN0805Y222KBCB, GA0805Y222KBCBT30G

ga0805y222kbcbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-