GA0805Y222KBCBT31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專(zhuān)為高�、高效應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具備卓越的�(kāi)�(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特性,適合于電源管�、無(wú)線充�、D�(lèi)音頻放大器等�(yīng)用領(lǐng)��
該型�(hào)是高度優(yōu)化的功率半導(dǎo)體器�,具有出色的熱性能和可靠性,在高頻率工作條件下能夠提供高效的功率�(zhuǎn)�,同�(shí)保持較低的損��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極電荷�70nC
�(kāi)�(guān)速度:高�(dá)1MHz
�(jié)溫范圍:-55� � +150�
封裝形式:TO-247-3
1. 基于 GaN 技�(shù),具備更低的�(dǎo)通電阻和更高的效��
2. 支持高頻工作模式,適合要求苛刻的電力電子系統(tǒng)�
3. �(nèi)置保�(hù)功能,可防止�(guò)壓及短路損壞�
4. 高度集成�(shè)�(jì),減少了外部元件的需求,�(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�
5. 熱性能�(yōu)�,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
6. 封裝�(jiān)固耐用,符合工�(yè)�(biāo)�(zhǔn),易于焊接和安裝�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. �(wú)線充電模�
3. D�(lèi)音頻放大�
4. 太陽(yáng)能逆變�
5. 電動(dòng)汽車(chē)充電�
6. �(shù)�(jù)中心供電單元
GAN0805Y222KBCB, GA0805Y222KBCBT30G