GA0805Y224MXJBT31G是一款由東芝公司生產(chǎn)的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片具有高耐壓、低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),能夠在高頻�(kāi)�(guān)條件下提供高效的功率�(zhuǎn)�。其封裝形式為T(mén)O-263(D2PAK�,適合表面貼裝工藝,廣泛�(yīng)用于工業(yè)控制、消�(fèi)電子和通信�(shè)備中�
該型�(hào)中的部分代碼含義如下:GA表示�(chǎn)品系��08代表耐壓等級(jí)�80V�05Y代表具體的性能參數(shù)版本,后�(xù)字符則用于標(biāo)�(shí)封裝類型、測(cè)試標(biāo)�(zhǔn)及批次信息�
最大漏源電壓:80V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻:2.4mΩ
柵極電荷�85nC
�(kāi)�(guān)速度:超快恢�(fù)
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:TO-263(D2PAK�
GA0805Y224MXJBT31G采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.4mΩ�,能夠顯著降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高耐壓能力�80V�,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻操作,減少磁性元件體��
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持可靠的性能�
5. 封裝緊湊且堅(jiān)�,適合自�(dòng)化生�(chǎn),并具備良好的散熱性能�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電路設(shè)�(jì)��
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):作為主開(kāi)�(guān)器件,用于AC-DC�. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)控制器和步�(jìn)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化:包括逆變�、伺服驅(qū)�(dòng)器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(shè)備�
4. 汽車電子:如車載充電�、LED�(qū)�(dòng)器和電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)�
5. 通信電源:用于基站電源模塊和其他電信基礎(chǔ)�(shè)��
6. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:例如筆記本適配器和智能家居設(shè)備中的電源管理單��
IRFP4468, FDP079N08A, STP09NK08Y