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GA0805Y272JBCBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 12:09:27 查看 閱讀:7

GA0805Y272JBCBT31G 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電源管理以及驅(qū)動(dòng)電路中。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適合在高頻和高效能應(yīng)用中使用。
  這款芯片通常被用作開關(guān)元件或負(fù)載驅(qū)動(dòng)器,在各種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備中發(fā)揮重要作用。

參數(shù)

型號(hào):GA0805Y272JBCBT31G
  類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):40V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):8A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.6mΩ (典型值,Vgs=10V)
  總功耗(Ptot):98W
  結(jié)溫范圍(Tj):-55℃ to +150℃
  封裝形式:TO-247

特性

GA0805Y272JBCBT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高開關(guān)速度,支持高頻操作,適用于開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。
  3. 良好的熱性能,能夠承受較高的結(jié)溫和持續(xù)大電流工作。
  4. 穩(wěn)定可靠的電氣性能,在不同工作條件下表現(xiàn)出色。
  5. 封裝堅(jiān)固耐用,便于散熱并適應(yīng)多種安裝方式。
  這些特點(diǎn)使得 GA0805Y272JBCBT31G 成為需要高效、可靠功率控制解決方案的理想選擇。

應(yīng)用

GA0805Y272JBCBT31G 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器中的功率級(jí)元件。
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)。
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和控制。
  5. 其他需要高效功率處理和快速開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。
  其出色的性能和可靠性使其成為眾多高要求應(yīng)用環(huán)境下的首選元件。

替代型號(hào)

IRFZ44N, AO3400, FDP5800

ga0805y272jbcbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-