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GA0805Y272MBXBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 16:26:18 查看 閱讀�18

GA0805Y272MBXBT31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯片,專為高頻�、高效率的應(yīng)用場景設(shè)�(jì)。該器件集成了增�(qiáng)� GaN 場效�(yīng)晶體管和�(qū)動器電路,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著提升電源系統(tǒng)的整體性能�
  GaN 技�(shù)以其卓越的高頻性能和高溫穩(wěn)定�,在�(xiàn)代電力電子領(lǐng)域備受青�。此型號特別適用于需要高功率密度和小體積的場�,例如快充適配器、數(shù)�(jù)中心電源模塊、工�(yè)電機(jī)�(qū)動等�

參數(shù)

類型:增�(qiáng)� GaN FET
  額定電壓�650V
  額定電流�8A
  �(dǎo)通電阻:27mΩ
  柵極電荷�40nC
  最大工作溫度:175°C
  封裝形式:DFN8

特�

該芯片采用先�(jìn)的氮化鎵材料制造工�,具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,僅� 27mΩ,可有效降低傳導(dǎo)損��
  2. 快速的開關(guān)速度,支� MHz 級的工作頻率,減少磁性元件的體積與成��
  3. �(nèi)置優(yōu)化的�(qū)動器,簡化外部電路設(shè)�(jì),同�(shí)提高系統(tǒng)可靠��
  4. 支持寬范圍的工作溫度�-55°C � +175°C�,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的應(yīng)��
  5. 高效的能量轉(zhuǎn)換能力,有助于實(shí)�(xiàn)更高的功率密度和更小的整體尺��
  此外,該芯片還具有過溫保�(hù)、短路保�(hù)等多種保�(hù)功能,確保在異常工況下的安全�(yùn)��

�(yīng)�

GA0805Y272MBXBT31G 芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. USB PD 快充適配�
  2. �(shù)�(jù)中心和通信�(shè)備中的高� AC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)動電�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的 DC-DC �(zhuǎn)換模�
  5. 太陽能逆變器及其他新能源相�(guān)�(chǎn)�
  其高效率和緊湊的�(shè)�(jì)使其成為各類高性能電源解決方案的理想選��

替代型號

GAN066-650WSA, EPC2045

ga0805y272mbxbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-