GA0805Y272MBXBT31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯片,專為高頻�、高效率的應(yīng)用場景設(shè)�(jì)。該器件集成了增�(qiáng)� GaN 場效�(yīng)晶體管和�(qū)動器電路,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著提升電源系統(tǒng)的整體性能�
GaN 技�(shù)以其卓越的高頻性能和高溫穩(wěn)定�,在�(xiàn)代電力電子領(lǐng)域備受青�。此型號特別適用于需要高功率密度和小體積的場�,例如快充適配器、數(shù)�(jù)中心電源模塊、工�(yè)電機(jī)�(qū)動等�
類型:增�(qiáng)� GaN FET
額定電壓�650V
額定電流�8A
�(dǎo)通電阻:27mΩ
柵極電荷�40nC
最大工作溫度:175°C
封裝形式:DFN8
該芯片采用先�(jìn)的氮化鎵材料制造工�,具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,僅� 27mΩ,可有效降低傳導(dǎo)損��
2. 快速的開關(guān)速度,支� MHz 級的工作頻率,減少磁性元件的體積與成��
3. �(nèi)置優(yōu)化的�(qū)動器,簡化外部電路設(shè)�(jì),同�(shí)提高系統(tǒng)可靠��
4. 支持寬范圍的工作溫度�-55°C � +175°C�,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的應(yīng)��
5. 高效的能量轉(zhuǎn)換能力,有助于實(shí)�(xiàn)更高的功率密度和更小的整體尺��
此外,該芯片還具有過溫保�(hù)、短路保�(hù)等多種保�(hù)功能,確保在異常工況下的安全�(yùn)��
GA0805Y272MBXBT31G 芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. USB PD 快充適配�
2. �(shù)�(jù)中心和通信�(shè)備中的高� AC-DC �(zhuǎn)換器
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)動電�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的 DC-DC �(zhuǎn)換模�
5. 太陽能逆變器及其他新能源相�(guān)�(chǎn)�
其高效率和緊湊的�(shè)�(jì)使其成為各類高性能電源解決方案的理想選��
GAN066-650WSA, EPC2045