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GA0805Y273MBCBR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/10 9:19:51 查看 閱讀:20

GA0805Y273MBCBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體管,屬于增強型場效應晶體管(eGaN FET)。該器件專為高頻開關應用設計,具有低導通電阻和快速開關速度的特點。它適用于高效率電源轉換、DC-DC轉換器、太陽能逆變器以及其他需要高性能功率管理的場景。
  這款 GaN 晶體管采用先進的封裝技術,提供出色的散熱性能和電氣特性,同時能夠顯著降低系統(tǒng)損耗并提升整體效率。

參數(shù)

型號:GA0805Y273MBCBR31G
  類型:增強型場效應晶體管 (eGaN FET)
  材料:氮化鎵 (GaN)
  最大漏源電壓 (Vds):600 V
  連續(xù)漏極電流 (Id):8 A
  導通電阻 (Rds(on)):150 mΩ
  柵極閾值電壓 (Vgs(th)):1.5 V 至 3 V
  總柵極電荷 (Qg):40 nC
  反向恢復電荷 (Qrr):無反向恢復
  工作溫度范圍:-55 ℃ 至 +175 ℃
  封裝形式:TO-247

特性

GA0805Y273MBCBR31G 具有以下主要特性:
  1. 高效的開關性能:由于其超低的導通電阻和快速開關速度,該器件非常適合高頻操作環(huán)境,能有效減少能量損耗。
  2. 無反向恢復電荷:與傳統(tǒng)硅 MOSFET 相比,此 GaN 器件沒有反向恢復電荷問題,從而進一步優(yōu)化了開關性能。
  3. 強大的耐壓能力:支持高達 600V 的漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下可靠運行。
  4. 高溫穩(wěn)定性:能夠在 -55℃ 到 +175℃ 的寬廣溫度范圍內穩(wěn)定工作,適應各種惡劣環(huán)境。
  5. 緊湊且高效的封裝:采用 TO-247 封裝,提供良好的散熱性能和機械強度。
  6. 易于驅動:低柵極電荷和適中的柵極閾值電壓使其可以輕松被現(xiàn)有的驅動電路控制。

應用

GA0805Y273MBCBR31G 廣泛應用于以下幾個領域:
  1. 高效電源轉換:包括 AC-DC 和 DC-DC 轉換器,用于服務器、通信設備及工業(yè)設備。
  2. 太陽能逆變器:利用其高效率和快速開關特性來實現(xiàn)更高效的能量轉換。
  3. 電機驅動:在工業(yè)自動化和電動汽車中用作主功率開關。
  4. 快速充電器:支持更高頻率和更低損耗的充電解決方案。
  5. LED 驅動器:為大功率 LED 提供穩(wěn)定可靠的驅動功能。
  6. 其他高頻功率電子應用:例如無線電力傳輸、音頻放大器等需要高效率和快速響應的應用場景。

替代型號

GA0805Y271MBCBR28G, GA0805Y272MBCBR30G

ga0805y273mbcbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-