GA0805Y273MBCBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,屬于增強型場效應晶體管(eGaN FET�。該器件專為高頻開關應用設計,具有低導通電阻和快速開關速度的特�。它適用于高效率電源轉換、DC-DC轉換�、太陽能逆變器以及其他需要高性能功率管理的場��
這款 GaN 晶體管采用先進的封裝技�,提供出色的散熱性能和電氣特性,同時能夠顯著降低系統(tǒng)損耗并提升整體效率�
型號:GA0805Y273MBCBR31G
類型:增強型場效應晶體管 (eGaN FET)
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電� (Vds)�600 V
連續(xù)漏極電流 (Id)�8 A
導通電� (Rds(on))�150 mΩ
柵極閾值電� (Vgs(th))�1.5 V � 3 V
總柵極電� (Qg)�40 nC
反向恢復電荷 (Qrr):無反向恢復
工作溫度范圍�-55 � � +175 �
封裝形式:TO-247
GA0805Y273MBCBR31G 具有以下主要特性:
1. 高效的開關性能:由于其超低的導通電阻和快速開關速度,該器件非常適合高頻操作�(huán)�,能有效減少能量損��
2. 無反向恢復電荷:與傳�(tǒng)� MOSFET 相比,此 GaN 器件沒有反向恢復電荷問題,從而進一步優(yōu)化了開關性能�
3. 強大的耐壓能力:支持高� 600V 的漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下可靠運行�
4. 高溫�(wěn)定性:能夠� -55� � +175� 的寬廣溫度范圍內�(wěn)定工作,適應各種惡劣�(huán)��
5. 緊湊且高效的封裝:采� TO-247 封裝,提供良好的散熱性能和機械強度�
6. 易于驅動:低柵極電荷和適中的柵極閾值電壓使其可以輕松被�(xiàn)有的驅動電路控制�
GA0805Y273MBCBR31G 廣泛應用于以下幾個領域:
1. 高效電源轉換:包� AC-DC � DC-DC 轉換�,用于服務器、通信設備及工�(yè)設備�
2. 太陽能逆變器:利用其高效率和快速開關特性來實現(xiàn)更高效的能量轉換�
3. 電機驅動:在工業(yè)自動化和電動汽車中用作主功率開關�
4. 快速充電器:支持更高頻率和更低損耗的充電解決方案�
5. LED 驅動器:為大功率 LED 提供�(wěn)定可靠的驅動功能�
6. 其他高頻功率電子應用:例如無線電力傳輸、音頻放大器等需要高效率和快速響應的應用場景�
GA0805Y271MBCBR28G, GA0805Y272MBCBR30G