時間：2025/5/10 9:19:51
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GA0805Y273MBCBR31G 是一款基于氮化鎵（GaN）技術的高效功率晶體管，屬于增強型場效應晶體管（eGaN FET）。該器件專為高頻開關應用設計，具有低導通電阻和快速開關速度的特點。它適用于高效率電源轉換、DC-DC轉換器、太陽能逆變器以及其他需要高性能功率管理的場景。
這款 GaN 晶體管采用先進的封裝技術，提供出色的散熱性能和電氣特性，同時能夠顯著降低系統(tǒng)損耗并提升整體效率。
型號：GA0805Y273MBCBR31G
類型：增強型場效應晶體管 (eGaN FET)
材料：氮化鎵 (GaN)
最大漏源電壓 (Vds)：600 V
連續(xù)漏極電流 (Id)：8 A
導通電阻 (Rds(on))：150 mΩ
柵極閾值電壓 (Vgs(th))：1.5 V 至 3 V
總柵極電荷 (Qg)：40 nC
反向恢復電荷 (Qrr)：無反向恢復
工作溫度范圍：-55 ℃ 至 +175 ℃
封裝形式：TO-247
GA0805Y273MBCBR31G 具有以下主要特性：
1. 高效的開關性能：由于其超低的導通電阻和快速開關速度，該器件非常適合高頻操作環(huán)境，能有效減少能量損耗。
2. 無反向恢復電荷：與傳統(tǒng)硅 MOSFET 相比，此 GaN 器件沒有反向恢復電荷問題，從而進一步優(yōu)化了開關性能。
3. 強大的耐壓能力：支持高達 600V 的漏源電壓，確保在高壓環(huán)境下可靠運行。
4. 高溫穩(wěn)定性：能夠在 -55℃ 到 +175℃ 的寬廣溫度范圍內穩(wěn)定工作，適應各種惡劣環(huán)境。
5. 緊湊且高效的封裝：采用 TO-247 封裝，提供良好的散熱性能和機械強度。
6. 易于驅動：低柵極電荷和適中的柵極閾值電壓使其可以輕松被現(xiàn)有的驅動電路控制。
GA0805Y273MBCBR31G 廣泛應用于以下幾個領域：
1. 高效電源轉換：包括 AC-DC 和 DC-DC 轉換器，用于服務器、通信設備及工業(yè)設備。
2. 太陽能逆變器：利用其高效率和快速開關特性來實現(xiàn)更高效的能量轉換。
3. 電機驅動：在工業(yè)自動化和電動汽車中用作主功率開關。
4. 快速充電器：支持更高頻率和更低損耗的充電解決方案。
5. LED 驅動器：為大功率 LED 提供穩(wěn)定可靠的驅動功能。
6. 其他高頻功率電子應用：例如無線電力傳輸、音頻放大器等需要高效率和快速響應的應用場景。
GA0805Y271MBCBR28G, GA0805Y272MBCBR30G
