GA0805Y274MXXBR31G 是一款高性能的功率半導(dǎo)體器件,具體屬于 MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管)類(lèi)別。該型號(hào)設(shè)計(jì)用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景,具備低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
此芯片廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、消費(fèi)類(lèi)電子以及工業(yè)控制領(lǐng)域,其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)型,便于集成到各種電路設(shè)計(jì)中。
類(lèi)型:MOSFET
導(dǎo)電類(lèi)型:N溝道
最大漏源電壓(Vdss):80V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
最大漏極電流(Id):5A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
總功耗(Ptot):36W
工作溫度范圍(Topr):-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-252(DPAK)
GA0805Y274MXXBR31G 的主要特性包括:
2. 快速的開(kāi)關(guān)速度,支持高頻操作,降低電磁干擾(EMI)。
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了在異常條件下的魯棒性。
4. 具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在極端溫度條件下性能依然可靠。
5. 小型化封裝設(shè)計(jì),有助于節(jié)省電路板空間并簡(jiǎn)化散熱管理方案。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
該型號(hào)適用于以下典型應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)元件。
2. 電池充電管理模塊,特別是在便攜式設(shè)備中。
3. 工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與負(fù)載切換。
4. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路中的恒流控制。
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的繼電器替代和電源分配。
6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品,如筆記本電腦適配器和家用電器等。
GA0805Y274MXXBR32G, IRF540N, FQP50N06L